拉晶工艺中直拉硅单晶氧含量的优化研究.pdfVIP

攘 菇 拉品工艺中直拉硅单品氧含量的优化研究 上海九晶电子材料股份有限公司技术研发部 ■ 王丽 汪贺杏 冯磊 摘 要：采用直拉法拉制硅单晶，在拉晶过程 中，研究了不同型号机械泵、等径功率、坩埚转速及投料 量等工艺参数对硅单晶氧含量的影响。结果显示：用抽气速率大的80泵，等径功率下降至58kW， 坩埚转速降低至6．4rmp／min，投料量降低至68kg，均可以降低硅单晶氧含量，并在此基础上得 出合理的拉晶生产工艺。 关键词：抽气速率；等径功率；埚转转速；投料量 一 引言 量70kg~H68kg条件下拉制的稳定生长的单晶，测试 随着单晶硅太阳电池需求的急剧增加 ，单晶硅 其氧含量 。试验仅测试单晶氧含量较高的头部 ，将 市场竞争愈演愈烈。为了在单 晶硅市场上占据一席 样片制成厚度为 1～2ram的样片，并进行化学抛光 之地，可通过降低成本和提高光电转换效率来实现。 腐蚀 ，测试其 中心部位的氧含量。测试在WQF一520 而提高光电转换效率，降低单晶氧含量是关键l】]。 型FFIR光谱仪上进行，按照ASTM 标准进行测量。 氧含量高主要是由于高温下熔硅与石英坩埚表 面SiO 反应所致。IsaoKanda等 研究了埚转和晶 三 试验结果与讨论 转对大直径直拉硅单 晶中氧浓度及分布的影响 ； 1不同抽气速率对单晶氧含量的影响 NorihisaMachida等 研究了氢气流及炉压对直拉 分别选取 10根使用70和80泵拉制的稳定生长 CZSi中氧浓度的影响。由于单晶炉内很多参数无 法在线测量 ，多应用数值模拟的方法模拟不 同的热 场条件对单晶硅中氧含量 的影响。任丙彦等4【]用数 值模拟的方法研究了复合热屏对氧含量的影响。日 本人星金冶等于 1980年用磁直拉法有效地控制了 晶体中的氧含量 ，但成本过高 ，不适用于太阳能硅 单晶。 本文基于实际生产的拉晶情况，分别研究了抽 气速率、等径功率、埚转转速及投料量等单晶工艺 参数对单晶氧含量的影响，并对其机理进行了分析。 样片编号 图1 抽气速率对单晶氧含量的影响 二 试验过程与测试 从图1可以看出，使用80泵拉出的单晶氧含量 本试验使用京运通80型单晶炉 ，试验条件分别 明显低于70泵拉 出的单晶。 为：(1)使用70和80两种型号的机械泵 ；(2)通过加 直拉硅单晶中的氧主要来源于熔硅与石英坩埚 强保温 ，将63kW 的等径功率降低至58kW ；(3)埚 的反应。SiO被Si还原成SiO(石英坩埚溶解反应)溶 转转速从7rmp／min降低至6．4rmp／min；(4)70kg投料 入熔硅中，并受 自然对流作用均匀分布于熔硅 中。 量降低至 68kg。 随着对流运动 ，传输到熔硅表面的氧原子会以SiO 分别选取 lo}E使用70和80泵，等径功率63kW 的形态挥发掉 。在硅的熔点温度，SiO的蒸气压约 和58kW，埚转转速7rmp／min和 6．4rmp／min，投料 为0．002atmt，99％的氧会挥发掉 ，l％左右的氧因 ～ — 一