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维普资讯 第 37卷 第 1期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．37 No．1 2008年 2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS February．20o8 AgGaS2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究 雷勇波，赵北君，朱世富，陈宝军，谭 波，吴小娟，黄 毅 (四川大学材料科学系，成都610064) 摘要：研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌 、厚度、碳膜与石英管内壁结合力的影响，发现在气体流量为 30二 40ml／min，镀碳温度为 1040—1060~C，镀碳时间为30—40rain，冷却时间为 10—12h的条件下，可获得均匀、致密且 结合牢固的碳膜层。用此工艺镀碳的石英安瓿生长出的AgGaS 晶体表面光洁，完整性好，缺陷较少。 关键词 ：红外非线性光学材料 ；硫镓银单晶体；生长安瓿；镀碳工艺 中图分类号：0782 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2008)01-0025-04 ● Investigation oftheCarbonCoatingProcessonAmpoule forAgGaS2CrystalGrowth LEIy0，lgb·o，ZHAOBei-jun，ZHUShi-fu，CHENBaojun，TANBo， WUXiao-juan，HUANGYi (DepartmentofMaterialsScience，SichuanUniversity，Chengdu610064，China) (Received6March2007) Abstract：Theeffectoftheconditionsonthehticknessandtopographyofcarbonfilms，htebindingforce betweencarbonfilmsand quartzampouleswerestudied．Th eresultsindicatethatuniform carbon films boundtightlywiht quartzampoulescanbeobtainedunderthefollowingcondition，i．e．thegas·flowrate of30-4Oral／rain，htecarboncoatingtemperatureof1040·1060℃ ，htecarboncoatingtimeof30-40min nadhtecoolingtimeof10·12h．Bymena softhecarbon·coatedquartzampoulesAgGaS2singlecrystals t}lsmoohtersurface．betterintegralitynadlowerdislocationdensityweregrown． Keywords：nonlinearIR optical material；AgGaS2singlecrystal；growthampoule；carboncoating 1 引 言 硫镓银 (AgGaS)晶体是一种 I．Ⅲ．Ⅵ 族三元化合物半导体，黄铜矿结构，点群为D 4 ¨，其透光范 围为0．5—13 ，非线性系数大，同时还有适宜的双折射，品质因数高，可用于二次谐波的产生、三波混频和 光参量振荡等 ¨’引，是一种性能优异的红外非线性光学材料，它在 CO：激光雷达探测、红外遥测、激光通信、