步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术研究.pdfVIP

维普资讯 《激光杂志》20o4年第 25卷第 6期 LASERJOt~N．AL(Vo1．25．No．6．2004) 17 步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术研究 郭立萍，黄惠杰，王向朝 (中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800) 提要 ：讨论了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术，详细阐述 了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制原理，提出了一种曝光剂量 控制算法。实验表明，应用此剂量控制技术使系统的曝光剂量控制精度达到 1．37％，剂量重复精度达到0．31％，满足亚半微米光刻图形的曝 光剂量控制要求。 关键词：光刻；步进扫描投影光刻；曝光剂量控制；CD均匀性 中圈分类号：TN305．7 文献标识码：A 文章编号：0253～Z743(Z004)06—0ol7—03 Exposuredosecontrolforstep—and—scaIllithography GUOLi—ping，HUANG Hui—iie。WANGXiang—zhao (sIlan aiInstituteofOpticsandFineMechanics，ChinEs．~AcademyofSciences，shan曲ai201800，China) Ab 删 ：Exposuredosecontroltechniqueinstep—and—scanexposuresystem isdiscussed．Dosecontrolprincipleforstpe —and—scansystem is y d． Apulse—to一 sedosecontrolalgorithmisproposed．．Doseaccuracyof1．37％anddoser~ ilityof0．3l％ obtainedusingthisdosecontroltcehnique． Exper~ tresultsindicatehtathtisdora controltcehniquemeetshterequirementofsub—kl1f—micronlithography． Keywords：opticallihtography；step—and一9caIIlithography；exposuredosec0响 ；CDuniformity 1 引言 D=Jm)at (1) 其中D为曝光剂量(mJ／era~)，，(t)为硅片表面的光强(roW／ 光刻技术的发展已经使光刻分辨率CD(CriticalDililen． cm2)，t为曝光时间(s)。在曝光剂量一定的情况下，胶面上的光 ~ion)达到 100nm甚至 100nm以下 】。随着光刻分辨率的提 强越大，所需的曝光时间就越短，生产效率就越高。在采用准分 高，对CD均匀性的要求也越来越高。影响CD均匀性的因 子激光器的步进光刻机中，曝光剂量D由式(2)确定 素很多，譬如涂胶、曝光、显影、刻蚀等一系列光刻工艺都会 影响CD均匀性 。其中，曝光剂量是影响CD均匀性的一 D=NX印 ／A (2) 个重要因素。在步进扫描投影光刻机(以下简称为步进扫描 其中Ep啪 ，为到达硅片表面的单个脉冲的能量 (mJ)，N为脉 光刻机)中，精确的曝光剂量控制是一个不可缺少的重要环 冲个数，A为投影物镜视场的