复合多晶硅栅LDMOS的特性研究.pdfVIP

维普资讯 器件制造与应国 M哪 c缸血 gmdAl~lieationofDevice 复合多晶硅栅 LDMOS的特性研究 洪琪，陈军宁，柯导明，刘磊，高珊，刘琦 (安徽大学 电子科学与技术学院，合肥 230039) 摘要：提 出了一种应用于射频领域 的复合 多晶硅栅 LDMOS结构 (DMG．LDMOS)，并给 出了 工艺实现方法。此结构采用 了栅工程的概念 ，所设计的栅 电极 由S．栅 和 D．栅 两块 电极并列组成， 其 中，S．栅采用功函数较 高的P 多晶硅 ；D．栅采用功函数较低的 n 多晶硅。MEDICI对 n沟道 DMG-LDMOS和 n沟道普通 LDMOS的模拟结果表 明，该结构能够提高器件的沟道载流子速度 ，从 而增加器件的跨导值，并且该结构在提高器件击穿电压的同时还能提高器件 的截止频率 。 关键词 ：复合栅 ；截止频率；功函数 ；横向扩散金属氧化物 ；栅源电容；栅漏电容 中图分类号：TN386．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003．353X (2008)03．0227．04 Studyon CharacteristicsofaDual-Ma~rial GateLDM OS HongQi，ChenJunning，KeDaoming，UuLei，GaoShan，UuQi (SchoolofElectronicScienceandTechnology，AnhuiUniversity，Hefei230039，China) Abstract：AnovelDMG·LDMOS (dual·materialgate，LDMOS)structureforRFfieldWaSproposed accompaniedbytheconcreterealizationmehtod in process．ThegateofhteDMG-LDMOSconsistsofS·gate (htefirstgateapproaching8oureewihthihg work·functionmaterialP poly)nadD·gate(htesecondgate approachingdrainwiht lowwork·functionma terialn poly) usinghteeffectiveconcept“gateengineering”． Th eMEDICIsimulationsrevealhtathteDMG-LDMOS Callincreasehteaveragevelocity ofelectron in hte channel，resulting in a highertransconductance．Menawhile，htisstructure Cna increase hte breakdown voltagenadenhnacehtemaximum cut·off frequency． Keywords：dual·materialgate；cut·off frequency (fr)；work function；LDMOS；gate8ouree capacitance(Cg8)；gatedraincapacitance (C ) EEACC：2550 本文提出的同质复合栅 LDMOS结构，能够在 0 引言 不增加导通电阻的情况下提高器件 的击穿 电压 J、 近年来，随着以蜂窝式移动通信为主的通信市 增大器件 的跨导、减小器件 的输入 电容 (c + 场爆炸式的增长，人们对于性能优异