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第28卷第6期 Vo1．28No．6 工 程 力 学
2011年 6 月 June 2011 ENGINEERING MECHANICS
文章编号：1000．4750(2011)06．0206．06
用于制备YBCO薄膜的
光辅助MOCVD反应器内流动现象的数值研究
李 晖 ，左 然 ，方秀军 。，李国兴 ，周本初
(1．江苏大学能源与动力工程学院，镇江 212013；2．集美大学机械工程学院，厦门 361021；3．吉林大学电子科学与工程学院，长春 130012)
摘 要：对一种制备 YBCO薄膜的光辅助 MOCVD反应器内的流动现象进行了三维数值模拟研究。在模拟计算
中，分别改变基座与进 口的相对角度()、反应器顶壁倾斜角度( ，得出反应器中流场的相应变化。根据对模拟
结果的分析，发现当基座平面与进气 口轴线之间的夹角 =22．5。及反应器顶壁倾角 30。时，基片表面气流速度
大小合适，分布均匀，且回流涡旋得到抑制，反应器 内的流场较适合YBCO薄膜生长。
关键词：MOCVD；YBCO；反应器；流场；数值模拟
中图分类号：TB43；035 文献标识码：A
NUM EIUCALSTUDY oFFLoW PHENoM ENA INA PHoTO．ASSISTED
M oCVD REACToR FoR PREPAIUNG YBCo THIN FILM S
LIHui ，ZUORan，FANGXiu-jun，LIGuo—xing，ZHOUBen．chu3
(1．SchoolofEnergyandPowerEngineering，JinagsuUniversity，Zhe~inag212013，China；
2．SchoolofMechanicalEngineering，JimeiUniversity，Xiamen361021，China；
3．SchoolofElectronicScienceandEngnieering，JilinUniversiyt，Changchun130012，China)
Abstract： I’hree—dimensionalnumericalstudy onflow phenomena in aphoto—assistedMOCVD reactorfor
preparingYBCOthinfilmsisconducted．Byvaryingtheanglebetweensusceptorsurfaceandinletaxis()and
thetopwallinclinationangle( ，velocityfieldsinsidethereactorarecalculated．Itisfoundthattheflowfieldis
suitableforgrowingYBCOthinfilmswhen =22．5。nad 30。duetotheuniofrmvelociyt andthedepressed
convectionrol1．
Keywords： M OCVD；YBCO；reactor；flow field；numerica1simulation
高温超导材料 YBa2Cu3O7．d(简称 YBCO)在电 方，在气相和气固界面发生一系列化学及物理反
力、能源、生物、医疗科技、通信和微电子等领域 应，从而在基片表面生成外延层。光辅助MOCVD
具有广阔的应用前景…。金属有机化学气相沉积 方法即以适当光谱范围的光源(如卤钨灯)作为化学
(简称 MOCVD，MetalorganicChemicalVapor 及物理反应激发能源，以取代传统的加热方法，因
Deposition)是制备YBCO薄膜的主要技术之一，该 后者在激发效率上深受Boltzmann概率的限制。光
技术的工作原理是：载气把金属有机物和其他气源 辅助MOCVD方法生长YBCO膜具有生长速度快、
携带到反应室中被加热的高温基片(位于基座上)上
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