超精密CMP电化学抛光试验台关键部件的设计.pdfVIP

2010年 11月 润滑与密封 NOV．2010 第35卷 第 11期 LUBRICATION ENGINEERING Vo1．35No．11 DOI：10．3969／j．issn．0254—0150．2010．11．025 超精密 CMP电化学抛光试验台关键部件的设计 马 纲 赵永武 顾 坚 (1．江苏城市职业学院 (无锡) 江苏无锡 214011；2．江南大学机械工程学院 江苏无锡 214122) 摘要 ：由于化学机械抛光 (CMP)中机械和化学作用 同时发生在芯片抛光过程中，因此 ，传统的电化学测试仪难 以动态测试 CMP中芯片表面成膜的过程。将传统CMP设备与电化学测试分析仪相结合，开发新型电化学CMP测设平 台。研究关键部件抛光头和抛光盘的设计，采用ANSYS进行传感器弹性体的标定与设计，并进行电化学分析试验的验 证。结果表明开发的测试平台数据采集稳定，工作平稳，基本达到设计 目标。 关键词：电化学；超精密抛光 ；试验台 中图分类号：TP391 文献标识码 ：A 文章编号：0254—0150 (2OLO)11—107—4 Design ofElectrochemicalUltra-polishing TestingSystem andKeyComponents MaGang ZhaoYongwu GUJian (1．JiangsuCityVocationalCollege(Wuxi)，WuxiJiangsu214011，China； 2．SchoolofMechanicalEngineering，JiangnanUniversity，WuxiJiangsu214122，China) Abstract：Sincethecombinedeffectsofchemicalreactionandmechanical removaloccuratthesametime，itisdifficult toinvestigatetheformationandcomponentofthethinchemicalfilm betweentheslurryandwafersurface．Integratedthe CMPandelectrochemical testingsystem together，anoveltesterwasdeveloped．Thecalibrationanddesignoftheelastomer sensorwerecarriedoutbyANSYS．ThetesterwasverifiedusingthepolishingexperimentsofA1wafer．Itisshownthatthe novelultra-polishingtestingsystem canstablyworkandcollecttheexperimental data，whichachievesthedesigningaims． Keywords：electrochemistry；ultra—polishing；test·bed 化学机械抛光技术 (简称 CMP)是利用化学和 化物膜 、无机复合物膜以及有机复合膜 。而被 机械作用的协调效应来获得硬脆芯片表面超光滑亚微 磨损下的材料在抛光液中的溶解也是通过电化学反 米表面和全局平坦化的唯一方法 -3]。CMP材料去除 应实现的。磨粒的磨损作用加速 了化学腐蚀速率 ， 机制还存在较大争议 ，这是因为机械和化学同时 因此可以采用腐蚀 电化学的理论研究 CMP材料去除 发生于芯片抛光过程中，难以动态地揭示芯片表面成 机制 。 膜的演变规律。因此 ，如何研究抛光过程中，化学作 中国电子科技集团公司第48所2008年成功研制 用对材料去除影响的基本规律，成为掌握 CMP材料