掺钴氧化锌稀磁半导体的SEM及X射线能谱微分析研究.pdfVIP

第29卷，第1期 光谱学与光谱分析 200 and 9年1月 SpectralAnalysis January，2009 Spectroscopy 掺钴氧化锌稀磁半导体的SEM及X射线能谱微分析研究 帅2，张 爽1 仇满德-，姚子华1，韦志仁2，翟永清1，田 1．河北大学化学与环境科学学院，河北保定071002 2．河北大学物理与技术学院，河北保定071002 摘要采用水热法。以CoCI。·6H。O为前驱物，KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利 用扫描电子显微镜(SEM)及x射线能谱仪(XREDS)对合成晶体的微观形貌、表面及内部掺杂元素Co的相 对含量和分布的均匀性进行了研究。研究结果表明：水热法合成的掺Co氧化锌晶体具有多种微观形貌，较 大的晶体具有极性生长特性。随晶体形貌不同，显露面也发生了相应改变。不同微观形貌的晶体其Co含量 面高，锥柱状晶体其区别尤为明显。大的晶体内部存在着少量的氧化钴团簇，晶体表面与晶体内部Co元素 分布相对均匀。由于COz+具有磁性，因此，氧化钴团簇的存在将对氧化锌稀磁半导体晶体的磁性产生一定 的影响。 关键词微分析；稀磁半导体；Zn0晶体；水热法 1000—0593{2009}01—0277—04 中图分类号：0433．1文献标识码：AⅨ)I：10．3964／j．issm 截然不同的特性睁11]。因此，从理论上预测向ZnO中掺入 引 言 Fd+，甜十，Ni2+等磁性离子，在电子载流子存在的条件下， 材料将表现出稳定的铁磁性。 稀磁半导体(DI吣-)又称半磁半导体，是指由磁性过渡金 目前，关于稀磁半导体是否存在磁性、磁性的引起是否 属离子和稀土金属离子部分替代非磁性阳离子后形成的一类 是由于掺杂物形成了杂相或者是生成团簇、掺杂元素存在于 半导体材料，由于其将半导体的载流子和电子间的自旋耦合 晶体表面还是替代了ZnO晶体中Zn原子等重要问题多年来 集中于同一种物质，从而使载流子和局域磁矩之间产生强烈 一直存在着严重的分歧[8-10J。怎样控制制备过程中的因素， 的交换作用，改变了能带结构和载流子的行为，兼备磁性和 避免杂相与团簇的产生，找到最佳的合成条件和掺杂比，历 半导体特性，具有大的有效g因子、法拉第旋转、巨磁阻效 来是研究人员致力解决的难点。因而对于样品的分析表征就 应、磁光效应等新颖特性，是自旋电子学领域一个重要的分 显得非常重要，通过合适的分析手段可以帮助解答上述各种 支‘1剖。 问题。X射线微区分析是一种有力的分析手段，由于表面微 区分析是将分析结果与样品的局域(定位)联系起来，分析部 自Dietl等[5]用Zener模型预言在p-ZnO中实现室温铁 位(微区)的空间分辨率能达到tan甚至11r11数量级，既能知 磁性以来，掀起了研究ZnODMS的热潮。Zn()作为一种宽 道所得结果是样品中哪个部位的，又能使该区域的微观形态 eV)，与其他宽带隙半导体 禁带直接带隙半导体(Eg3．37 (形貌)、微观成分、结构、化学及物理等特性同整个样品的