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第23卷第5期 无机材料学报 V01．23．NO．5
of
Journal Materials Sep．，2008
2008年9月 Inorganic
文章编号：1000—324X(2008)05—0912—05
沉积温度对Gd掺杂Ce02电解质薄膜生长及电学特性的影响
马小叶，姜雪宁，孟宪芹，庞胜利，孟 昕，张庆瑜
(大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连n6024)
摘要：采用反应射频磁控溅射技术。在非晶石英衬底上不同温度下制备了纳米多晶Gd掺杂CeO。(简称GDC)
氧离子导体电解质薄膜，采用x射线衍射仪、原子力显微镜对薄膜物相、晶粒大小、生长形貌进行了表征，利
300—400
用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜的电学性能．结果表明，GDC薄膜生长取向随沉积温度而变化：
。C时为强(111)织构生长，而500—600。C时薄膜趋于无规则牛长；随着沉积温度的升高，薄膜的生长形貌由
同一取向的大棱形生长岛转变为密集球形小生长岛；GDC多晶薄膜的电导活化能约为1．3eV，接近了：晶界电
导活化能值，说明GDC交流阻抗主要源于晶界的贡献；晶界空间电荷效应导致GDC薄膜电导率随晶粒尺寸
而变化，晶粒尺寸越小，电导率越大．
关 键 词： Gd掺杂Ce02电解质薄膜；反应磁控溅射；薄膜生长；电学特性
中图分类号：0484文献标识码t A
Influenceof onGrowthandElectrical of
DepositionTemperature Properties
Ceria Films
Gd—dopedElectrolyte
MA
Xiao-Ye，JIANGXue—Ning，MENGXian—Qin，PANGSheng-Li，MengXin，ZhangQing—Yu
ofMaterialsModification andElectron ofTech—
(State Laser，Ion Beam，DalianUniversity
KeyLaboratory by
1
nology，Dalian
16024，China)
were
Abstract： conductor thinfilms
Gd—dopedCe02(GDC)ionelectrolyte syn-
Nanocrystalline
thesizedreactive on substratesatdifferent
by sputteringamorphousquartz temperatures．
magnetron
Thethinfilmswerecharacterized force and current
byX—Raydiffraction，atomicmicroscopealternating
showt
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