BJT和MOSFET的非线性研究.pdfVIP

第30卷 第 1期 西 华 师 范 大 学 学 报 (自然 科 学 版 ) 2009年 3月 V0】．30 NO．1 JournalofChinaWestNormalUniversity(NaturalSciences) Mat．2009 文章编号：1673．5072(2009)O1-0100-04 BJT和 MOSFET的非线性研究 唐正明，周永宏 (西华师范大学物理与电子信息学院，四川 南充 637002) 摘 要 ：信号的放大需要放大电路工作在其近似的线性条件下才有意义．借助数学方法，对构成放大的电路的重 要器件BJT和MOSFET的非线性进行了对 比，并结合其各 自的内部结构分析了2类器件非线性的产生和差异．目 的在于为今后研制开发线性特性更好的放大元件提供指导． 关键词 ：BJT；MOSFET；Taylor公式；非线性 中图分类号：TN3 文献标识码 ：B 目前，半导体得到了飞速发展，国际上先进的CMOS工艺的尺寸已经达到了65nm，场效应晶体管的特征 频率也已经超过了100GHz．然而，无论是BJT还是FET其非线性特性都给实际应用带来很大的限制．以2 类器件的典型代表NPN型BJT和耗尽型MOSFET为分析对象，借助数学的方法可以定量的求出其小信号条 件 ，对分析其非线性特性具有直观性．结合对其内部结构的分析，可进一步明确影响其非线性特性的主要因 素 可以为研制开发线性度更高的放大元件提供指导． 1 BJT与MOSFET的小信号条件 不论在近似计算或理论分析中，我们希望能用一个简单的函数来近似一个比较复杂的函数，这将会带来 很大的方便．然而，在很大场合，取一次多项式逼近是不够的，往往需要用二次或高于二次的多项式逼近 ，并 要求误差为0(x— 。)，BJT集 电极和 FET的漏极 电流方程都具有其相应的数学模型，因此，可以借助形如 (1)式的Taylor公式对其进行精确的分析． )：f(x0)+ +．．．+ ． (1) 1．1 NPN型 BJT的小信号条件 在半导体器件原理 中已知，偏置于放大区的晶体管，在低频运用 ，并忽略基调效应和晶体管内部各 电中 性 区的体电阻时，集电极电流可分析如下 ， d，E ctlEse r ，￡se ／revl／VT≈ctlEevi／VT≈，e ． (2) 现将 eW／／vr用 Taylor公式展开 e_j／r=1+ 7)i 1 t)i)．2+ 1 ‘7)i．) + +… (3) 据工程上的定义， ( )而1Vi时 可以忽略掉式中由非线性失真所产生的二阶和二阶以上的项 ，在 ， 常温下(V=26mV)，可得 ．5mV． 收稿 日期 ：2009—01—25 基金项 目：西华师范大学科研启动基金资助项 目(05B019) 作者简介 ：唐正明 (1981一)，男，四JlI安岳人 ．西华师范大学物理与电子信息学院助教，研究方 向：电力 电子技术 ，自动化 ， 信号与信息处理． 第 30卷第 1期 唐正明，等：BJT和MOSFET的非线性研究 10l 1．2 MOSFET的小信 号条件 以耗尽型MOSFET管为代表 ：设CS放大器 中，取输入信号 = sinwt则将漏极 电流方程展开得 ，D5一半 )2=iDssVGs2 ( )(1一 心( )． (4) 二次谐波 电流振幅为 ，2 ：IlossimI ．