颇具竞争力的SOI硅集成技术（续）.pdfVIP

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2017-09-11 发布于贵州
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颇具竞争力的SOI硅集成技术（续）.pdf

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维普资讯电子与封装总第2O期第4卷，第6期 2004年11月 Vo1 4．N0．6 ． ELECTRONICS PACKAGING 。缝迹颇具竞争力的SO1硅集成技术 (续) 蔡菊荣 (荷叶新村39号，502室，江苏无锡 214061) 摘要：主要讨论了SOI集成技术及其发展前景，介绍了SOI技术在VLSI应用方面的优越性以及在微电子领域中的广泛应用。关键词： SOI技术；SOI材料；SOIIC 中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：1681—1070(2004)06—09—05 CompetitivePotentialofSO1SiliconIntegratedTechnology CaiJu—rong (39—502。Heyexincun，JiangsuWuxi214061，China Abstract： SOIIntegratedtechnologyandit’Sdevelopmentandapplicationprospectsaremainlydiscussed ． Afterthat theadvantagesofSOIinVLSIapplicationsandit’Swideapplicationsinmicroelectronicsfield ， areintroduce ． Keywords：SOITechnology SOIM aterials SOIIC 4．3超薄SOICMOS高速电路 a) NMOS器件 PMOS器件按常规结构，CMOS组装密度已受到隔离工艺技术 (如硅的局部氧化)的限制，虽然开发了一些新的隔离技术 (如沟槽／再充填技术 )，但仍有许多问题未解决。而超薄SOI结构可以解决面对按比例缩小惯用结构亚微米技术的隔离问题和晶体管设计限制。超薄SOI结构的晶体管设计有许多优点，如降低了沟道掺杂 (全耗尽型结构)，进一步降低漏至源的横向电场，改善了阈值斜率等等。最近，采用超薄SOI 绝缘衬底结构已研制成功0．1mm，l亿集成度的高速亚微米图7 a)体硅CMOS与 b)SOICMOS的比较 CMOS电路。正在向10亿集成度的微处理器进军。图7比较了常用的双阱、LOCOS隔离、体硅结成，如图8所示。这种电路对软误差的包容性很高，构和台式隔离SOICMOS结构。两者相比，后者的抗辐照能力很强。丁艺流程可减少T序30％，封装密度可提高40％。 CMOS器件按比例缩