硅纳米线表面掺杂现象研究及应用.doc

硕士学位论文  论文题目  硅纳米线表面掺杂现象的研究及应用  研究生姓名 指导教师姓名 专 业 名 称 研 究 方 向 论文提交日期  廖凡 邵名望 材料学 先进功能材料 2013 年 3 月 硅纳米线表面掺杂现象的研究及应用  中文摘要  中文摘要 表面掺杂是一种调控纳米材料掺杂性质的方法，它主要依赖于界面电荷的分 离。材料表面，特别是比表面积大的纳米材料表面都存在悬空键、缺陷等，使得 一些分子很容易吸附在其表面，引起材料表面结构发生重组，材料与表面吸附剂 之间发生电荷转移，系统的总能量发生改变，从而导致半导体的性质发生改变。 通过选择表面吸附剂的种类，能够灵活的改变材料的掺杂类型。这种方法较传统 方法相比成本降低，方法简便，更加适用于纳米器件的制备。硅纳米线作为一种 重要的硅基纳米材料，具有较大的比表面积，可以观察到表面掺杂现象，这在前 人的文献中也有报道。但是将这种现象运用到实际操作中，扩大硅纳米线的应用 领域和范围仍然是一个难题。本文对此现象做了深入研究，发现并解释了氢端终 止的硅纳米线能够加速铜氧化；通过表面掺杂在硅纳米线薄膜上修饰了带有氧化 银壳层的银颗粒和氧化亚铜，分别用作表面增强拉曼的基底和光催化剂。其具体 内容为： (1) 在黑暗条件下，氢端终止的硅纳米线能够使铜的氧化速率增加。通过 X- 射线粉末衍射法对产物进行分析，对比没有加入硅纳米线的铜氧化反应，加入氢 端终止的硅纳米线的铜的氧化速率增加 10,000 倍以上。氢端终止的硅纳米线表面 有很多悬空键和缺陷，氧气分子和水分子很容易吸附于表面。吸附的水分子能够 捕获硅纳米线中的电子，生成 OH-离子；同时，失去了表面电子的硅纳米线的能带 发生弯曲，电子在价带聚集。硅纳米线呈现出 p 型半导体的特征。因此，铜很容 易从其表面获得空穴，形成铜离子。这一实验现象说明氢端终止的硅纳米线能够 发生表面掺杂现象。 (2) 将硅纳米线组装成薄膜，利用表面掺杂在其表面修饰了带有氧化银壳层的 银颗粒，定义为 Ag@AgxO-SiNW。通过 X-射线粉末衍射、高分辨、环形暗场透射 电子显微镜元素分析等手段证明银颗粒外包裹了极薄的无定形氧化银壳层。该壳 层的形成也是由于硅纳米线的表面掺杂作用，它能够防止银纳米颗粒发生团聚， 避免被检测分子直接和银接触。将 Ag@AgxO-SiNW 作为表面增强拉曼的基底，以 罗丹明 6G 和结晶紫作为被检测物质，获得了清晰的拉曼信号，拉曼增强因子为 I 中文摘要  硅纳米线表面掺杂现象的研究及应用  106 数量级。基底上随机选取 100 个连续的点测量其拉曼信号，均获得了高灵敏度 的拉曼谱线，罗丹明 6G 和结晶紫主要峰强度的标准偏差均低于 20%。 (3) 由于表面掺杂现象的存在，将硅片浸在同样的 Cu2O-HF-H2O 溶液中不同 时间，得到了 Cu，Cu 和 Cu2O 的混合物两种不同产物。初步探讨了生成不同产物 的原因是由于 Si-H 键还原的 Cu 和 HF 酸作用，在硅片表面发生电化学反应，生成 纳米级的硅点或者短硅线，从而有表面掺杂作用，使部分 Cu 被氧化。在硅线上成 功的修饰了 Cu2O 纳米颗粒。通过 X-射线粉末衍射、扫描电子显微镜、高角度环 形暗场透射电子显微镜元素成像等手段证明硅纳米线的表面修饰物确实是 Cu2O 颗粒。修饰后的产物 Cu2O-SiNW 能够在可见光的作用下催化降解罗丹明 B 溶液。 反应动力学研究显示该降解反应为一级反应。 表面掺杂现象并不是硅纳米线特有，在其他材料中也能够观察到此现象，我 们必须加以重视。 关键词：硅纳米线；表面掺杂；核壳结构；表面增强拉曼散射；光催化  作  者：廖  凡  指导老师：邵名望 教授 II Investigation and Application about Surface Doping of Silicon Nanowires  Abstract  Investigation and Application about Surface Doping of Silicon Nanowires Abstract Surface doping relies on charge separation at interfaces, and represents a valuable method for controlling the doping properties of nanomaterials. There is a large number of dangling bonds and defects on the surface of materials, especially materials with larger