微弧氧化工艺过程的自动控制研究.pdfVIP

维普资讯 2008年第3期 大 众 科 技 No，3，2008 (总第 103期 ) DAZHONG KEJ (CumulativelyNo．103) 微弧氧化工艺过程的自动控制研究 刘 黎 ，危立辉 (1，中南民族大学，湖北 武汉 430074；) 【摘 要】针对轻金属微弧氧化工艺复杂，人工控制工艺重复性差的特点，设计 了微弧氧化工艺过程的自动控制系统。分 析了微弧氧化工艺过程各阶段的特点，对微弧氧化工艺过程涉及的电压、电流、工作时间、电解液温度、频率、占空比等参数， 该 自动控制系统能够按照预设的工艺曲线、手工给定方式 自动处理，自动与手动之间能进行无扰动切换。实验表明，该微弧氧 化控制系统工艺重复性好 ，工作可靠性较高。 【关键词】微弧氧化；工艺参数；自动控制；单片机 【中图分类号】TG146、2 【文献标识码】A 【文章编号】1008—1151(2008)03—0096—02 微弧氧化 (Microarc—OxidatiOn，MAO)…技术是利用等离 膜性能有直接关系。该系统能监视整个过程中的脉冲能量， 子体化学和 电化学原理在铝、镁、钛等有色金属的表面生长 分析脉冲能量对工艺结果的影响。在整个过程中也可以控制 一 层类似陶瓷性质的氧化膜的技术。微弧氧化技术处理工艺 脉冲能量的大小，以进行最佳工艺处理。 简单，对环境无污染，处理工件能力强，而且大幅度提高了 3．工艺探索阶段以手动为主，单片机系统 自动记录手动 铝及其合金材料的性能，是一项很有发展前途的轻合金表面 工艺过程，多次探索后会得到一个完整的工艺曲线，系统可 处理技术。但是微弧氧化工艺中影响陶瓷膜性能的因素很多， 以转入 自动控制。在 自动控制阶段，如果观察到不合理的工 产生现场工艺参数控制不准和工艺重复性差等问题，使批量 艺点，可以进行手动修改。自动手动切换时，记录下切换点 生产受到制约。因此，在 自行研制的双端不对称脉冲微弧氧 的电流、电压、占空比，以便能使 自动手动之间采用积分过 化 电源的基础上，设计了单片机微弧氧化 自动控制系统，该 渡，实现无扰动切换。 系统能够选择合适的电源模式，随时调整 电压、电流、电解 (二)微弧氧化工艺过程与控制方法 液、温度、工作时间、频率、占空比等工艺参数， 自动控制 1．微弧氧化工艺过程 工艺流程，获得所需性能的陶瓷层。 在微弧氧化过程中，化学氧化、电化学氧化、等离子体 (一)微弧氧化装置和工艺参数采集 氧化同时存在。因此，陶瓷氧化膜的形成过程非常复杂，至 微弧氧化 电源主 电路结构如图 1所示。由可控硅整流稳 今还没有一个合理的模型全面描述陶瓷膜的形成过程 。微弧 压电路 ，IGBT斩波变换电路、反应槽、控制电路组成。以 氧化过程大致可分为三个阶段即普通阳极氧化阶段、火花放 电参数为主要采集控制对象，通过控制工艺处理过程达到控 电及微弧氧化阶段 、熄弧阶段 ，如图2所示。 制工件处理效果的 目的。 电流 电压传感器采用霍耳器件，具有隔离 电压高，动态 响应特性好 (一般小于 1US)，传递频带宽 (O～100kHz)，线 性度好 (优于 0．1％)过载能力强等优点。电解液温度传感器 采用半导体温敏器件，外封装致密陶瓷，传热特性好，既能 电绝缘，又能抗腐蚀。控制芯片采用美国 Microchip公司生 产的PI18F877单片机。此系列单片机的硬件系统设计简洁， 指令系统设计精练。 控制系统能实现如下功能： 温