硅基氧化钆薄膜的生长及结构.pdfVIP

／ 第41卷第10期 中 国 缔 辱 旌 求 大 誊 辱 旅 Vo1．41，No．10 2011年 10月 JOURNALOFUNIVERSITY OFSCJENCEAND TECHNOLOGYOFCHINA Oct．20 11 ArticleID：0253—2778(2011)10—0867—05 Growth andcharacterizationofGd2O3thinfilm onSi LITingting ，QIZeming ，CHENG Xuerui。，ZHANGWenhua1， ZHANGGuobin ，ZHOU Hongjun ．PANGuoqiang， (1．NationalSynchrotronRadiationLaboratory，UniversityofScienceandTechnologyofChina，Hefei230029，China； 2．SchoolofNuclearScienceandTechnology，UniversityofScienceandTechnologyofhCina，Hefei230029，China； 3．DepartmentofPhysics，UniversityofScienceandTechnologyofChina ，Hefei230026，hC ina) Abstract：Gd203thin filmsweredepositedonSi(100)substratesbypulsedlaserdeposition (PLD)．The structure，composition andband offsetwere investigated bv X_ray diffraction (XRD)，X-ray reflectivity (XRR)，X-rayphotoelectron spectroscopy (XPS)andultraviolet photoemissionspectroscopy (UPS)．Theresultsshow that，theGd2O3thinfilm isamorphous whengrowingat300℃ andiScrystallizedintomonoclinicstructureat650℃．Theformationof Gd—silicateinterfaciallayerduetointerfacereaction iSconfirmedbvXRR andXPS．Thevalence bandoffset(AEv)of(一2．28±0．1)eV iSobtainedbvXPS． Keywords~Gd2O3thinfilm；pulsedlaserdeposition；highgatedielectricconstant CLCnumber：0484．1 Documentcode：A doi：10．3969／j．issn．0253—2778．2011．10．004 硅基氧化钆薄膜的生长及结构 李亭亭 …，戚泽I明／。，程学瑞。，张文华 ，张国斌 ，周洪军 ，潘国强 (1_中国科学技术大学国家同步辐射实验室，安徽合肥 230029； 2．中国科学技术大学核科学与技术学院，安徽合肥 230029； 3．中国科学技术大学物理系，安徽合肥 230026) 摘要：采用脉冲激光沉积方法(PLD)在不同温度的Si(10o)衬底上制备了Gdz0。栅介质薄膜，利用X射线衍