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§7.3 半导体二极管 一. 基本结构将PN结加上相应的电极引线和管壳,就成为半导体二 极管。按结构分,二极管有点接触型和面接触型两类。点 接触型二极管(一般为锗管)如图7-20a所示。它的PN 结结面积很小(结电容小),因此不能通过较大电流,但 其高频性能好,故一般适用于高频和小功率的工作,也用 作数字电路中的开关元件。面接触型二极管(一般为硅管) 如图7-20b所示。它的PN结结面积较大(结电容大), 故可通过较大电流(可达上千安培),但其工作频率较低, 一般用作整流。图7-20c 是二极管的表示符号。 二.伏安特性 二极管既然是一个PN结,它当然具有单向导电性,其 伏安特性曲线如图7-21所示。 I 可以证明,二极管的理想伏安特性可由 qU kT 下式表示: II ?e1-I S S U 0 U V T I e1 S 根据式(7-11),当 U? V26mV时, 图7-21 T 二极管伏安特性 qU kT II e S 这是流过二极管的正向电流,由多数载流子的扩散电流构成。 U? 0 当 时, I?I S 这是反向饱和电流,由少数载流子的漂移电流构成。 而当U 0,I 0,I I 时,是动态平衡状态。 扩 漂 三. 实际二极管的伏安特性 ImA 正向 图7-22是一个实例。 40 死区 20 电压 实际二极管伏安特性,有如下特点: -25 -50 UV 0 0.8 0.4 1. 正向电压较小时,存在死区电压 击穿电压 -20 U ?BR(又称 阀值电压,导通电压) -40 反向? A 由图可见,当外加正向电压很 小时,由于外电场还不能克服 图7-22 2CP10硅二极管的伏安特性曲线 PN结内电场对多数载流子(除 少量能量较大者外)扩散运动的阻力,故正向电流很小,几 乎为零。当正向电压超过一定数值后,内电场被大大削弱, 电流增长很快。这个一定数值的正向电压就是死区电压,其 大小与材料及环境温度有关。通常,硅管的死区电压约为0.6V,锗管约为0.2V。2.PN结的反向击穿 当反向电压增大到一定值时,PN结的反向电流将随反向 电压的增加而急剧增大,这种现象称为PN结的击穿。击穿电 压用U 表示。 BR 我们注意到,击穿时,虽然反向电流急剧增加,但管压降几 乎不变。利用反向击穿时二极管的恒压特性,可以作为稳压 管,它的表示符号如图7-23(a)所示。 R II Z D Z? U E Z U 6V R 0 L D Z 10V 6V I L b 应用电路一例 a 符号图7-23 稳压二极管 第11页例7-3 已知图7-23(b)稳压管应用电路中,稳压管击穿电压 U6V R600 (即稳定电压) ,负载电阻 欧姆,限流电 Z L 阻 R40 欧姆,外加电压10V。求I,I ,I 。 L Z 6V I? 10mA 解: (1) L 600(2)IREU Z? EU 106 V ZI 100mA R 40(3)III90mA Z L 四. 二极管的电容特性 PN结不仅具有非线性电阻特性,而且具有非线性电容 特性。在正向偏压下, PN结呈现的电容称为扩散电容,而 在反向偏压下,PN结呈现的电容称为势垒电容。 这里,我们讨论势垒电容。 前已论述,在反向偏压时,反向电 PN结 流几乎为零, PN结可以认为几乎截? 止, PN结反向电阻近似无穷大。从N P 宏观看, PN结边界两边的基本结构 类似于平板电容,这一电容称为势 Cj 0 I 垒电容C。 j 势垒电容与反向偏压大小有关, U 图7-24势垒电容 反向偏压越高,空间电荷越多, 空间电荷区宽度?越大,势垒电容越小。 可以证明, PN结势垒电容的表达式为 C j? C 0 j Cj? U7-12 C 0 j ?1? U? B U U 0 B 式中, U ? 外加偏压 U ? PN 结内建电位差 B 对于硅二极管,U 0.6 ~ 0.7 V 图7-25 PN结势垒电容特性 B C 0 ? 零偏压下的势垒电容。 j ? 电容指数,它反映了不同类 型PN 结电容特性的差别。图7-25是式(7-12)的曲线。 利用势垒电容可以制成变容二极 管,它的电路符号为图7-26所示。 图7-26 变容二极管符号 §7.4 半导体三极管 一基本结构在一块完整的半导体单晶上制作两个PN结,就获得三 极管。 E B 铟 铟E n C N型外延层 N型硅衬底 N型锗片 B C b平面扩散工艺 a合金法工艺 图7-27半导体三极管的结构工艺第12页 三极管有两种基本类型:PNP三极管和NPN三极管。 它们的结构示意图及电路符号如图7-28所示。 发射结 集电结? E P N C E N P C N P 集电区 发射区 基区 B B E E C C B B b PNP三极管 a NP