第一套系统的技术指标及附件ICP.docVIP

技术参数 电感耦合等离子体反应离子束刻蚀系统： 一种电感耦合等离子体反应离子束刻蚀系统（ＩＣＰ－ＲＩＥ），具有一个刻蚀腔，同时具有一个样品交换腔。反应腔具有顶置观察窗以便将来用于测量刻蚀深度。同时也要有数个侧置观察窗。 　　基片承载台　可承载４英寸，温度范围：-20°C ~ +200°C 一个射频发生器用于下电极的射频偏置，另一个射频发生器用于驱动ICP源 偏置发生器 　13.56 MHz, 600 W ICP发生器:　3000瓦13.56MHz 或等离子体密度达到1*1012 cm-3 　　其中刻蚀腔具有12种刻蚀气体管路， 六路带MFC（非腐蚀性气体）和截止阀的气路Ar, O2（大流量）, CF4, N2, SF6, O2（小流量）， 二路带MFC和旁路设计：CH4, H2 　　四路带MFC、旁路设计（腐蚀性气体）和截止阀的气路推荐气体：Cl2, SiCl4, BCl3, HBr 　 真空抽速和真空系统传导性适合于标准的金属、硅、III-V族化合物和其他材料的刻蚀工艺。防腐蚀设计分子泵1300l/min加前级防腐设计真空泵--Adixen ADP122P 415V 50Hz 干泵。本地真空达到1*10^-7Torr，漏率1mT/min 预真空室通过矩形SEMI-MESC闸阀32 x 222 mm与反应工艺室连接，配置气动的传送机构和透明盖，自动执行样品的装卸。进样室通过平稳起动的阀门进出，并可单独用氮气吹扫。配置干泵. 本地真空可达到10^-2Torr，漏率3mT/min 反应室刻蚀状态的： 压力范围 2mT … 100mT 　　功率范围 100 … 3000 W 或者以如下的等离子体密度表示 　　等离子密度 up to 1*1012 cm-3 　　不均匀度 2.5% (4’) 　　电子温度 ≤ 2eV 　　最小离子能量 10 eV 水冷 （包括一个混合溶液的冷却器 （-20度到200度） 有效直径 205至296 mm (ICP180, lower electrode is 205mm) (plasma parameters for Ar 等离子体参数条件：Ar) 　 刻蚀不均匀度小于１％(±3.5% on 4’ ， 3-sigma标准)，垂直度优于８９度 (Mask profile 80degree)． 当刻蚀ＧａＡｓ薄膜时，２００纳米孔阵时，孔径比小于等于8时，垂直度达到９０(90 ±1o)度，孔径比大于8小于１5时，垂直度为８９(90 ±2o)度(Mask profile 80degree)．以上指标要求用SiCl4-based,Cl2-based 以及BCl3-based气体混合分别达到。 InGaAsP/InGaAlAs/InP 外延层刻蚀：刻蚀不均匀度小于１％(±3.5% on 4’)，垂直度优于８９度 (Mask profile 80degree)，刻蚀速率不低于1微米/分钟．２００纳米孔阵时，孔径比小于等于５时，垂直度达到９０(90 ±1o)度，孔径比大于５小于１０时，垂直度为８９(90 ±2o)度(Mask profile 80degree)。不同外延层之间无突出或凹入现象（5nm）.侧壁光滑度5nm. 以上指标要求用Cl2-based 以及BCl3-based(无氢)气体混合分别达到。 InP/InGaAlAs选择性刻蚀：BCl3-based选择性刻蚀。InP大面积刻蚀速率大于1微米/分钟，InP 100nm宽狭缝刻蚀(深度4微米)速率大于0.5微米/分钟, 垂直度达到９０(90 ±1o)度，InGaAlAs etch stop layer (Al 20%) 刻蚀速率10nm/min (选择比100：1)。 提供一系列标准的深孔( 1 μm)或浅孔( 1 μm)的GaAs， AlAs, InGaAs and InP各项异性刻蚀工艺配方。 提供一系列垂直度达到(90 ±1o)的浅孔（孔壁光滑）（孔径比大于2， 孔径在100nm 到400nm）的Silicon-on-insulator 刻蚀工艺配方。（SiCl4-based） 提供一系列可分别用于承载 50 mm, 75 mm, 100 mm样品的基片承载架（Wafer carriers） 通过串行现场总线Interbus，远程现场控制器RFC实时控制所有系统部件。该RFC实现基础的安全互锁，PC机管理软件互锁、防止操作者的误操作。 控制机柜和反应腔单元中的总线节点，分别地转换总线命令和部件的输入/输出信号。该结构可实现快速增加或移除部件、扩展了错误诊断功能。Interbus是一种最快