近接場光プローブのためのPd 核形成と超音波照射下無電解Ni めっき.docVIP

近接場光プローブのためのPd核形成と超音波照射下無電解Niめっき研究室　　 １．はじめに 我々は超音波照射下無電解ニッケルめっきにおいて，サイズ効果が誘起されることを見出しており，これを近接場光学顕微鏡プローブの作製へ応用する研究を行っている。1)これまでに，塩化スズと塩化パラジウムの２液表面処理による触媒化と超音波照射下無電解ニッケルめっきの組み合わせにより，先端に向かって金属膜厚が減少するニッケルコートプローブが作製されている。1,２）この技術を実用化するためには，均一な超音波照射に加えて，塩化スズが化学的に不安定であることに起因する触媒化工程の代替技術が必要である。最近，我々は，後者の候補として，乾式スパッタによる触媒化法を提案し，超音波照射下無電解めっき法との組み合わせを試行し，超音波照射下でめっきされたニッケル膜表面に，しばしばクラックが発生するという問題を生じている。今回，光ファイバーのエッチング，Pdスパッタ，超音波照射下無電解ニッケルめっきからなるプローブめっきのために, クラック発生の抑制の観点から，めっき浴の水素イオン濃度の最適化を行ったので，その結果について報告する。 ２．実験方法 クラッド径125μm，コア径2μm，の光ファイバーを緩衝HF溶液に浸してエッチングし，コア先端角20°，クラッド径25μmの光ファイバーを作製した。次に，パラジウムのアルゴンイ