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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 24 (2013) 248801
非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响*
刘伯飞 白立沙 张德坤 魏长春 孙建 侯国付 赵颖 张晓丹†
( 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071 )
( 2013 年7 月30 日收到; 2013 年8 月31 日收到修改稿)
针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的
问题, 通过在PI 界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层, 不仅有效缓和了带隙失配, 降低界面复合, 同时也通过降低
界面缺陷密度改善内建电场分布, 从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN 界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层
进行能带梯度设计, 在仅采用Al 背电极时, 单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%.
关键词: 非晶硅缓冲层, 非晶硅锗薄膜太阳电池, 带隙, 界面
PACS: 88.40.hj, 88.40.jp, 68.55.−a, 61.43.Dq DOI: 10.7498/aps.62.248801
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进而严重影响电池的开路电压和填充因子 .
1 引言 为解决在采用低带隙非晶硅锗本征层时所存
在的界面问题, 缓解界面复合对电池性能的限制,
通过改变锗含量, 非晶硅锗合金材料的光学带 本文对非晶硅锗电池PI 界面非晶硅缓冲层带隙对
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隙可在1.1—1.8 eV 范围内调变 , 因而可以有效 电池性能的影响进行研究.
调制其光吸收波段范围. 相对于非晶硅更高的长波
吸收系数和可调变的光学带隙, 非晶硅锗合金材料 2 实验
非常适用于硅基薄膜叠层电池中. 近年来, 非晶硅
锗材料被广泛应用于硅基叠层电池中的中间电池 本实验中所采用的非晶硅锗本征层以及其
和底电池2−4 , 与微晶硅电池用作叠层底电池以拓 他膜层都在辐射型多功能薄膜沉积系统 (cluster
56 CVD) 中制备, 实验腔室的本底真空保持 10−6 量
展光谱吸收范围相比 , 其可以获得更高的开路
电压. 级; 电池的非晶硅锗本征层和掺杂层是在不同的
为了使a-SiGe : H 单结电池获得更高的长波响 腔室中制备获得; 本征层采用锗烷(GeH )、乙硅
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应, 需要提高本征层的锗含量以降低光学带隙. 但 烷 (Si H ) 以及氢气(H ) 混合制备, 沉积气压为
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是随着光学带隙的下降, 会造成a-SiGe : H 本征层 1.6 Torr (1 Torr 133322 × 102 Pa), 功率为4—8 W,
材料质量以及对应的器件结构发生变化. 从材料的 在高氢稀释下(RH 200) 制备, 衬底温度为200—
角度来看, 光学带隙的下降会造成本征层内缺陷密 250 ◦C.
1 电池的
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