磁控溅射低温制备ZnO：Al透明导电膜及其特性研究.pdfVIP

维普资讯 第 27卷 第 6期 真 空 科 学 与 技 术 学 报 2007年 11、12月 CHINESEJOURNALOFVACUUM SCIENCEAND IECHN0IDGY 511 磁控溅射低温制备 ZnO：A1透明导 电膜及其特性研究 王 涛 刁训刚 丁 苊 舒远杰 武 哲3 f1．北京航空航天大学理学院 北京 100083；2．中国工程物理研究院化工材料 ＼ 研究所 绵阳 621900；3．北京航空航天大学航空科学与技术学院 北京 100083／ GrowthandPropertiesofTransparentConductiveZnO ：AIFilms byM agnetronSputteringatLow Temperature WangTao，DiaoXungang ，DingPeng，ShuYuanjie，WuZhe f1，SchoolofScience，BeihangUniversity，Beijing100083，China；2．InstituteofChemicalMaterials，CAEP， ＼ ＼Mianyang621900，China；3．SchoolofAeronauticScienceandTechnology，BeihangUniversity， 100083，China， Abstract A1d叩edz．o(z．o—A1)filmsweregrownbyDCreactivemagnetmnsputteringonglasssubstrateataV~HIlIHchambertempera— tureof50℃．ThefilmswerecharacterizedwithX-raydiffraction(XRD)，scanningelectronmicmseopy(SEM)，speetroseopy，Hall—effectmeasure— ment，andinfraredra~ometer．Allfilms，fairlysmoothnadcompact．arefoundtohavehexagonalwttrtzitestructurewithc—a Sasthepreferential gro~horientation．Theresultsshowthatthepercentageoxygenflowratenadhtesputtering powerSignificnatlyaffectthemicrostmcturesnadpmp— ertiesofhtefilms．Forexample，asthepercentageoxygenflow rateincreases，itsresistivityfirstdecreasesnadthenincreases，minimizing 4．99× 10～ n ·cm at 12％ ；naditsconductivity improveswiht na increaseofhtesputtering power；thehighestcarrierdensityCna be8．99×10 cm一3at 75W ，nadhteaveragedinfrraedemi ssivityin8tan～14tun rnageisofundtobe0．3～0．54。Underoptimizedgrowthconditions，itsoptical trarrsmittanceCna be93％ at550nlllinthevisiblerange．Dependenceofinfrrade emissiononthesheetresistnacewasalsodiscussed． Keywords ZAO films，Low temperature，Magnetronsputtering，Infraredemissivity 摘要 采用锌、锅 (A12wt．％)合金靶，真空腔温度保持在 50℃，运用直流反应磁控