磁控溅射制备Ti—Ni—Cu记忆薄膜与组织成分研究.pdfVIP

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2017-09-09 发布于河北
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磁控溅射制备Ti—Ni—Cu记忆薄膜与组织成分研究.pdf

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维普资讯第 30卷第6期兵器材料科学与工程 VolI30 No．6 2007年 l1月 0RDNANCE MATERIALSCIENCE ANDENGINEERING Nov．． 2007 磁控溅射制备Ti—Ni—Cu记忆薄膜与组织成分研究卞铁荣，卢正欣。，井晓天。 (1_泸州医学院附院医学分子生物学中心，四川泸州646000；2．西安理工大学材料科学与工程学院，陕西西安 710000) 摘要：优化直流磁控溅射 Ti—Ni—Cu薄膜的制备工艺参数，研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律。采用 SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析。结果表明，经 650℃、0．5h退火，溅射态的非晶无序结构的Ti—Ni—Cu薄膜完全晶化，获得形状记忆效应。室温下基体组织为立方结构的B2相。溅射薄膜的厚度与时间几乎呈线性变化：而薄膜的沉积速率随着溅射功率的增大而升高，但溅射功率再增大则沉积速率降低；薄膜的成分随溅射功率、工作气压及时间的变化基本一致。不存在成分离散问题。关键词：Ti—Ni—Cu；薄膜；磁控溅射；非晶；形状记忆中图分类号：TG512 文献标识码：A 文章编号：1004～244X(2007)06～0056—03 Studyofpreparation。microstructureandcompositionofTi 一Cumemorythin—fil—m bymagnetlonsputteringdeposition BIANTie_rongt．2,LU Zheng-xin2,JINGXiao-tian (1．CentralLaboratoryforMolecularMedicine，AffiliatedHospitalofLuzhouMedicalCollege，Luzhou466000，China； 2．MaterialsScienceandEngineering，Xi’anUniverstiyofTechnology，Xi’na 710000，China) AbBtrIlct：DC sputteringprocesspraametersof preparingTi-Ni-Cu thin filmswereoptimized．and the influenceofmicro structure，compositionnadprocesspraameterswasstudiedbymeansof SEM ，TEM ，XRD nadEMPA．Itwasshownthattheas- depositedthinfilmsnanealde at650℃ for0．5hwentthroughamorphousstatetofullycrystallizedandgaineditsshapememory effects．Themicrostructureat room temperatureisB2of BCC．Th ethicknessof sputfingthinfilmsincreasedlineralywithtime， depositspeedrateof thin filmsincreased with sputting powerincreasing，nad then reduced ifsputtingpowerstillrised。 compositionof thinfilmsisconsistentbasiclywiht changeof sputtingpowerna dtime． Keywords