aSi：H TFT SPICE模型的研究.pdfVIP

摘 要 Film 薄膜晶体管(Thin1、ransistor的英文缩写是TFT)是近年来显示 silicon 器上广泛使用的器件，其中a—Si：HTFT(hydrogenated锄orphous TFT非晶硅薄膜晶体管)是发展的主流，常用作有源矩阵液晶显示器 的开关元件。随着a—si：HTFT的广泛应用，其模型的建立就成为非常 重要的课题。精确的a_si：HTFT模型在sPIcE模拟中是非常重要的。 在国内外已经发表了许多关于a．si：HTFT物理特性及模型的文章，但 仍然不能满足今天先进LCD模拟的需要。 TFT-OLED 为配合国家十五”863”计划项目“高品质大尺寸a-Si：H TFT 技术研究”工作，本论文重点进行了a—Si：H sPIcE模型的研究工 作。 本文以底栅结构背沟道阻挡型a．Si：HTFT器件为基础，测试了电 流电压(I—v)特性乖电容电压(c—v)特性。从电容电压曲线中提取了 a—si：H的掺杂浓度、固定电荷密度、界面态密度等工艺参数。分析了 a．si：H TFT的局域态、亚闽值导电、泄漏电流、表面迁移率调制、栅 源和栅漏电容对频率的依赖性，温度特性及应力对阈值电压的影响。 本论文以MOsFET为模型基础，对I—v特性进行了理论分析，建立了 线性区、饱和区的漏极电流模型，重点建立了精确的亚阈值前区、亚 阈值后区漏极电流和截止区的泄漏电流模型。同时，本论文以MIs结 构的电容为理论基础，建立了a-si：HTFT的MIs结构依赖于偏压和频 率的电容模型，并提取了阈值电压VTo、迁移率“o等模型参数。用c 语言编程模拟了I．v和C．V特性，测试数据与模拟数据拟舍得很好， TFT 优于以往的a_Si：HSPICE模型。本论文建立的模型适用于不同工 艺结构的a_si：HTFT器件，对TFT的设计者具有较高的指导价值。 TFT 关键词：a．Si：H SPICE模型I．V特性C—V特性 Abstract Film usedfor mainTFT TFT(ThinTraIlsistor)is、videlydiSplays．The ofactivema打iX isa_Si：HTFTwhichis device switching liquidcrystal Withthewide ofa．Sj：H establishmentofits display applicationTFT，the a for a_Si：HTFT modelsbecomes study．Accurate vervimportantquestion modelsare forSPICEsimulators．Sevemlhave required papers already of been me andthemodelsa．Si：HTFT’but publishedregardingphvsics LCD 出evareinsu街cientfortoday’sad瑚cedsimulations． ThjsthesismainlvstudiedSPICE