BaTiO3基PTCR陶瓷低阻化研究.pdf

摘要 陶科攀家围绕着这一现象做了大量的研究。并对这种电阻率在居罩温度左右发生 异常突增的现象给出了多种理论解释。一直以来，施主掺杂BaTi03陶瓷由于室 温电阻率较高而限制了其在限流领域的广泛应用。从现有公丌的研究进展来看， 低阻化的方法主要有多施主掺杂和在BaTi03陶瓷基体中引入会属等。在BaTi03 基PTCR陶瓷低阻化研究领域，日本已有相关的专利和产品报道，而我国除了少 数科研院所(如中国科学院上海硅酸盐研究所等)拥有自己的配方工艺外，大部 分还处于跟踪研究阶段。所以对BaTi03基PTCR陶瓷低阻化进行研究，不仅对 研究该材料的微观作用机理有很大的意义．而且也具有广阔的应用前景9／ 本论文采用一种不同与传统的低阻化研究方案，而是采用传统的陶瓷烧结 着两种粉体的添加方案。结果在第三中方案中成功地制备出具有低室温电阻率高 Q·cm 60分钟条件下获得了高性能的PTCR瓷体，其室温电阻率与升阻比分别为8 和4×104。文中还对粉体的添加量、铅钡比、烧结温度、保温时徊_l等影响因素做 了详细地讨论。试样的物理性能是通过测量室温电阻率、阻温特性、伏安特性和 体积密度等来进行评估。通过对试样的XRD、SEM和EDAX等研究手段对材料 的物相组成、微观形貌和元素分布等做了较为全面的分析。研究表明，在所获得 的低阻化试样中并没有发现具有会属导电特性BaPb03相的存在，但是在陶瓷的 烧结过程中BaPb03相一度在坯体中生成并发挥了重要的作用。最后，文中根据 所研究材料系统组分的组成和相互问的反应特性提出了全新的低阻化解释模型。 根据陔解释模型，陶瓷烧结中期所生成的BaPb03相在会因为后期烧结而逐渐分 解，在晶界和晶粒表面产生了大量的氧空位，从而由电子补偿机制可以容易地说 明电阻率下降的结果。由这种解释模型还可以较为满意的解释烧结温度显著降低 和铅钡比变化对陶瓷电阻率影响的实验结果。 关键词：萨温度系娄僻敏电阻铃酸钡电学性质 o／ Abstract itsattractive of dielectric， havebeen because ceramics BaTi01 widely applied ion catalytic aliovalent properties．By Diezoelectric，ferroelectric，electro．optic，and or ina semiconductlng atmosphere，the low—oxygen—partial。pressure heating doping ata abnormal characteristic demonstrates ceramics’resistance increasing uniquely