110和002择优取向ZnO薄膜的制备及光学性能研究.pdfVIP

第26卷第1期 北方工业大学学报 VoI．26NO．1 CHINA Mar．2014 2014年3月 J．NORTH UNIV．0FTECH． 1 (10)和(002)择优取向 ZnO薄膜的制备及光学性能研究* 苏德志 赵全亮 李中翔 (北方工业大学机电工程学院，100144，北京) 摘要运用射频溅射法在si和LaNiO。／si衬底上分别制备了高度(002)和110)取向的 ZnO薄膜．通过x射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征，发现ZnO／LaNiO。／Si薄膜的 (110)取向度高达96％，ZnO／Si薄膜为(002)择优取向，两种薄膜表面均致密平整，晶粒尺寸小 于80nm．光致发光结果表明，ZnO／LaNiO。／Si薄膜的光致发光峰主要为带边发射的紫外光，而 ZnO／Si薄膜的光致发光峰主要为过量氧导致的缺陷引起的缺陷发光峰．因此，采用LaNi0。薄 膜作为ZnO在si衬底上生长的过渡层，能够有效抑制缺陷发光，改善ZnO薄膜的发光性能． 关键词 氧化锌薄膜；择优取向；射频溅射；光学性能 分类号TB34 氧化锌(Zn0)是一种六方纤锌矿结构的直 面积生长ZnO薄膜，并且不能与Si基衬底大 接带隙半导体材料，室温下具有宽禁带(3．3eV) 规模集成，这些缺点限制了非极性ZnO薄膜在 和高激子结合能(60meV)．与传统半导体材料光电器件中的实际应用． 氮化镓(GaN)相比，ZnO的价格便宜，原材料 镍酸镧(LaNiO。，LNO)是一种具有赝立方 来源丰富，无毒而且化学性质稳定．因此，ZnO 钙钛矿结构(a。No一3．84A)的金属氧化物，它 受到广泛关注，并被认为在紫外发射探测器、表 与Si(100)晶面有十分接近的晶格常数(√2n。No 面声波和光电器件的研究中具有重要的应用价 za。。一5．43A)，故LNO很容易在Si衬底上实现 值口_8]．近年来，人们制备和研究的大多是沿C 晶面的匹配示意图．可以看出，ZnO(110)晶面的 轴(002)取向生长的Zn0薄膜，但由于Zn离子 和O离子在晶体中的不对称性，将会因极化的内 建电场而产生量子限域，即斯塔克效应(Quan— confinedStark tum effect)，使ZnO薄膜的光 常接近，分别只相差3．68％、4．24％．一个 学跃迁产生红移并降低发光性能．而(110)取向 ZnO薄膜因其离子对称结构呈现非极性，则具 元的对角线相匹配，相邻Zn原子之间夹角分别 有更好的光学性能[9]．目前，国内外学者已经在 为85．5。和94．5。．因此，以LNO作为过渡缓冲 5|、LaAldl61和Sapphire[17-18]层，可以在Si衬底上实现非极性(110)ZnO薄膜 SrTiOl3loq4]、Mg(J1 等单晶衬底上成功制备了(110)取向的非极性 的生长，但目前还未发现在LNO／Si衬底上制 ZnO薄膜．然而，单晶衬底价格昂贵，不利于大 备ZnO薄膜的报道．本文通过射频(RF)磁控 收稿日期：2013-04—10 (KM201210009004)． 第一作者简介：苏德志，硕士研究生．研究方向：功能材料与MEMS器件研究． 万方数据 45 第1期 苏德志等：(110)和(002)择优取向ZnO薄膜的制备及光学性能研究 溅射法在Si和LNO／Si衬底