贵金属取代的钨磷酸盐α2P2W17MO61nMIrⅣPdⅡRhⅢ掺杂聚吡咯薄膜化学修饰电极研究.pdfVIP

摘 要 (中、英文) 本文进行了几种贵金属单取代的钨磷酸盐{a2CP2饥M侃]-(M红r ,Pd,Rh哪}掺杂聚毗咯薄膜化学修饰电极的研究。在合成和表征贵金属 单取代钨磷酸盐的基础上，通过电化学方法使毗咯单体在固体电极表面形 成具有导电性和带正电荷的聚合物薄膜。将具有氧化还原活性的贵金属单 取代钨磷酸盐的大阴离子掺杂到聚毗咯骨架中，制成了对NO,一的电还原有 选择性催化作用的贵金属单取代钨磷酸盐掺杂聚毗咯薄膜化学修饰电极， 并探讨了电聚合掺杂条件和电极性能。从电分析化学的角度出发，研究了 该类修饰电极对NO,一离子电还原的催化过程。结果表明，它们可以作为N02 的电化学传感器。 型钨磷酸盐，包括 。/5-KeP2W,8062 一呼用水热合成法逐步合成了Dawson ·IOH,O,a-K,PZW,Az·14H20.。2一K,BPA;06.15H20作为合成贵金属取 代Dawson型钨磷酸盐的前体化合物以及贵金属单取代Dawson型钨磷酸盐 。,-[P,WM(OH,)06,70一(M=Ir,Pd,Rh)}的(n-Bu,N.K`)盐。并通过 IR, Uv-vis,一射‘线粉末衍射谱进行表征飞·- 研究了Dawson型钨磷杂多酸的合成及相关性质，并深入研究了贵金 属单取代的Dawso。型钨磷杂多酸的性质*滋毗咯电聚合时，功能团离子 作为平衡离子掺入膜内或利用聚毗咯膜的掺杂与去掺杂特性进行离子交 换以负载功能团离子。籍此可调节修饰电极的电化学性能，赋予其特定的 功能。该方法具有制备简单、重现性好、掺杂量可控制、所得膜电导率高 等优点。本文利用这种方法将具有氧化还原催化活性的贵金属单取代的 Dawson型钨磷杂多大阴离子掺杂到聚毗咯骨架中，附着在GC电极表面。 实现了对一些在裸GC电极上电子交换速度慢而极不可逆或具有较大过电 丝坠鲤翌塑{a业,W,业M(=W,Pd,Rhn,))10AARV 位物质(NO,)的电催化反应，并进一步研究了这些催化反应的机理。实验 结果表明，催化电流与溶液中反应物的量有相关性，从而制备了对NOZ 有选择性响应的化学传感器。 基于上述讨论和原则，本文研制了三种贵金属单取代Dawson型钨磷 酸盐掺杂聚毗咯修饰电极。 (1)铱单取代Dawson型钨磷酸盐聚毗咯膜修饰电极(P,WIr/PPy/GC) 在 5.00X10-mol.LlP2W71Ir-2.00X10-mol.LPy-0.10mol.L HIS0,(200C)修饰液中，于。.80--0.25V电位范围内，以50mv.Sl的扫速 连续循环伏安扫描4圈，毗咯单体在玻碳电极表面聚合的同时，PZWIr 掺杂进聚毗咯膜内，制得化学修饰电极。该电极既保持了PZWIr的电化 学活性和电催化性能，又具有良好的稳定性。在。10mol.LH,S04(20C) 溶液中，PZW工r/PPy/GC电极中掺杂在聚毗咯骨架中的P2WIr对应的氧化 还原峰对N-O2 有较灵敏的催化还原活性，在上述选定的条件下，催化峰电 流值ip。与NO,一浓度在1.0OX101_1.0OX10-4M01.L-的‘很宽范围内呈良好 的线性关系，其回归方程为: 1pc(uA)=5.866+4.397XIOc(mol.L) (r=0.9920,n=10) 检测下限为5.0X10-mol，C。用于模拟水样中N02一离子含量的测定，回 收率为97.6-98.6%a (2)把单取代Dawson型钨磷酸盐聚毗咯膜修饰电极(PZWPd/PPy/GC) 在5.00X10mo1.LPZWPd-2.00X10mol.L-Py-0.1Omol.C H,S0,(20C)修饰液中，于0.80^--0.25V电位范围内，以50mV.S，的扫速 连续循环伏安扫描4圈，毗咯单体在玻碳电极表面聚合的同时，PZWPd 掺杂进聚毗咯膜内，制得化学修饰电极。该电极既保持了P揽,Pd的电化 学活性和电催化性能，又具有良好的稳定性。在0.10mol-L-H,SO,(20C) 溶液中，P2WPd/PPy/GC电极中掺杂在聚毗咯骨架中的P2WPd对应的氧 fftAkTA$R代的钨磷酸盐(“:一LP,WM%〕一(M=I,,Pd,Rh川)}掺杂聚毗咯薄膜化*4*tWfL5 化还原峰对NOZ有较灵敏的催化还原活性，在上述选定的条件下，催化峰 电流值ip。与NOt浓度在1.00X10-^-2.SOX10-5m