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摘要
本文f采111irrllX-凝Il;刀、cSol-geli1:)制务11勺‘Ba,Sr,_,IiO;iBsr 薄
膜的I一艺进行J’初步研究,制备出l’光滑均 的BSTl}qlly 对小同情况
h制各出的薄膜的结构进行J分析研究,币点刊BST游N-的介}匕性能进
行了研究,井尝试刘实验结果做出解释
分胶的制备III,环境All.lx·水分、稳定Jffl的,匕例以及、胶的浓度对所
制备薄膜质量有较人影响
在后处AlI:艺 】,了h1)ijx(?nICI;{今,发19,,133r会},?11乡!了「700C一800C
I[寸结晶较好,Ifi了在700C以 卜,BSriVIK,+基才、处J几}I-I,,HI态。利)I1XRD图
潜,实验,},还观察到j退火泞致的Ti0:小.岛,分析r它对BST浓学膜结品
所做的}IIixo)
MBST薄膜的介}Lft能进行研究,从儿方而入于。着_:研究了BST
薄Ilk的介}LtI能随着频率变化的关系;BST薄R的介电性能随Ba/S:比例
变化的关系;BST薄膜的介电性能随厚度变化的关系:以及Ba,.,Sr,,,,Ti03/
Baa6Sr.QTiOs(BSr46/BST64)多层Iln!i[3assrSTi03(I3ST55)}II;-III的介ILl性
能的差别。
在薄膜的铁I匕性能力一而,实验,11I-末能观察到较好的电滞回线,但提
出了相应的解释和进 一步研究的方向。
关键词:Sol-gel斌BST IIl=11君介电,铁lk,
Abstract
八bstract
TetragonalBa,Srj-Ji03(BST)thinfilmshavebeenpreparedon
Pt/Ti/Si02/Sisubstratesbysol-gelprocessing.Dielecticpropertyand
ferroelectricpropertyofthefilmsareinvestigated.’Trialexplanationtothe
resultsisgiven.
Detailsoftheexperimentsarepresentedinthisarticle.Inwhich,
temperature,humidityoftheambientandthestabilizingagentarefoundto
playimportantrolesingettinghighqualityBSTthinfilms.
PosttreatmentsofthefilmsshowedthatBST thinfilmsget
crystallizationataround700℃一8000C.Whenannealingtemperaturegoes
downtolessthan7000C,itshardforBSTthinFilmstocrystallize.
TheDielectricpropertyofthefilmsisresearchedindetail.The
DielectricConstant(:,)changesasthefrequencyincreases,astheBa/Srratio
changesandasthethicknessofthefilmchanges.DifferenceofDielectric
PropertybetweenBao.4Sro.6TiO3/BaO.6Sro.4TiO3(BST46/64)multi-layerthin
filmandBao.5Sroji03(BST55)thinfilmisshown.
Unfortunately,nogoodferroelectricloopisobservedintheexperiment.
GraduateStudent:ZhuWei-bong
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