石墨烯IIVI族半导体纳米晶复合物制备及光电性能研究.pdf

Study on the Preparation and Optoelectronic Properties of Graphene/II-VI Semiconductor Nanocrystal Composites A Dissertation Submitted to the Graduate School of Henan University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Philosophy in Science By Lou Shiyun Supervisor: Prof. Zhou Shaomin May. 20 13 摘 要 石墨烯，一个由单层碳原子堆积而成的二维蜂窝状结构的新材料，由于其非凡的电、 2 热、机械性能，及高比表面积（2600 m /g ）、易功能化等特点，目前已成为材料科学领 域的一个研究热点，在纳电子学、能源、环境、生物医学等领域具有广泛的应用前景。 然而，石墨烯是零带隙材料，在紫外到近红外光学吸收范围内呈现带间吸收主导的恒定 的光电导现象，没有共振吸收峰，因而在光电转化应用中受到限制。 半导体纳米晶，具有分立的电子能级，尺寸及组分依赖的能级间距，由于其优异的 可调控的光学性能成为另一个引起人们研究兴趣的纳米体系，在生物荧光标记、电致发 光、高效光电转化器件中具有潜在的应用。然而，半导体纳米晶的尺寸较小，稳定性差， 需要利用有机配体对其进行包覆，而有机配体严重阻碍了纳米晶之间的耦合，影响纳米 晶之间的电荷传输，导致半导体纳米晶体系具有极低电导率和光电导率，限制了它们在 光电等方面应用。 因此，将石墨烯和半导体纳米晶复合被视为一个制备高性能光电器件中潜在的材料 的方法，因为它们结合了纳米晶的光电转换能力和石墨烯优异的导电能力，在光电器件、 光催化和太阳能电池方面具有潜在的应用前景。 本论文探索了几种制备 II-VI 族三元半导体纳米晶以及石墨烯半导体纳米晶复合物 的方法，对它们的光学及光电性能进行了研究，并发展了提高石墨烯半导体纳米晶复合 物及纳米晶薄膜光电性能的方法。主要研究内容如下： 1. 利用两相离子交换的方法，将预先制备的油溶性的硒化锌 (ZnSe) 纳米晶与水溶液 中的镉离子在高压釜中进行阳离子交换和有机配体交换反应，成功制备了水溶性的 Zn Cd Se 合金纳米晶。通过对反应时间和反应温度精确控制，得到了荧光发射波长从 x 1-x 412 到 570 nm 的水溶性合金纳米晶。得到的纳米晶具有较高的量子产率，良好的稳定 性及结晶性。这种新的方法使离子交换和配体交换同时进行，克服了水相制备纳米晶量 子产率低、结晶性差等缺点。该方法可扩展到制备其它高质量的水溶性纳米晶材料。 2. 基于第一部分的两相法，在室温下，将水溶性的氧化石墨烯 (GO) 与油溶性的 CdSe 及 CdSe/ZnS 纳米晶混合，得到了高质量的 GO-CdSe 和 GO-CdSe/ZnS 复合物。 该复合物中，3.0 nm CdSe 和 6.5 nm CdSe/ZnS 纳米晶均匀的分散在氧化石墨烯的表 I 面。由于该复合物中，氧化石墨烯上存在一定量的含氧基团，不利于电荷的传输，导致 该复合物的光电流很小。利用水合肼还原后，复合物的光敏值可达 5200%, 这是由还原 石墨烯的导电能力增强所致。为了进一步提高石墨烯半导