择优取向AlN薄膜制备及其光电性能研究.pdfVIP

摘要 面对当今器件微型纯、集成他的发震趋势，具有特定功能的薄簇材料成为制 作各种微电子、光电子等元器件的基础。氮化铝(A1N)由于具有6．2eV的带隙，2700 ℃鸵熔点，3。2wc西1F1麓热譬率以及较大豹掇电糕会悉数等一系列俊异静特牲嚣 成为未来高功率、高温微电子器件的首选材科。研究寝明各晶面择优取向的AlN 游膜都有各自的特性及相威的实际应用价值，因而控制薄膜的取向和晶体质量成 必越N薄骥戏躁于器孛}魏美键。 本文采用磁控溅射方法成功制备出燕有不同取向的AlN薄膜，详细探讨了备 种沉积条件对其晶体结构殿光电性能的影响。首先，本文在研究工作气压、靶熬 溅、溅射凌搴、气髂毙铡及树底滢疫对A燃薄骥取肉葶ll结梭影羲数弱潜，开截搜 的探讨了磁场强度对AlN薄膜取向的影响；然后在就濑础上对A黼薄膜的光学 性能及电学性能进行测试与分析。结果淡明： |．气匿较大、靶基踞较长、凌率较鬣、磁场强痰较弱嚣，容器获褥(100) 磷择优取向的AlN薄膜；殿之，容易获彳铎(002)面择优取向的AlN薄膜。作者 认为单位时间内到达衬底的原子数目和原子在衬底淡顺的扩散速度共同决定了 A黼薄貘约取翔。 2．A1N薄膜的光学带隙随着溅射功率的减小、置作气压的增大而增大，并 脯在氮气气氛下退火的削【N薄膜光学带隙变大。作者认为溅射出来的铝原子未能 究分与氮气反旋，导致生成塞镊熬翻Nx(xl。∞薄貘怒怒擎豢骧交织戆主要原因。 3．AlN薄膜的相对介电常数随着溅射功率的升黼而逐渐变大，这可能是薄 膜的晶化程度、取向性增黼的缘故：Al／AlN／siMIs结构的平带电压有明显的漂 移，塞锾静A辍x薄骥是产象漂移夔嚣戮；越缓lN，si氛娃s缝稳熬电容隧蓑鬏事发 嫩变化，这是由于在AlN绝缘层中存在着过渡层，使褥绝缘层的有效厚度随频率 发生变化导致的。 荚键词AlN薄膜；磁控溅射；择优取向；光学带隙：介电常数 ABATRACT memicromiIliaturizadonand ofnlc film诵tll Fac协g inte可撕on device，me ist11efound蚯onforⅡ1emicroelectric锄ddevice．AlN speci丘c劬ction photoelea缸c b∞omethefirstchoicemat甜alfortllefIlture high power、hight即1p∞帆l糟 血croelectricde“cebecauseofithas as balld manygoodcharacteristics，sucn1arge coe伍dentof the衄a1 g印-6．2evlli曲 memngpoint·2700uC，hi曲 electromechaIlicalcoe伍dentaIldsoon． conductivity．3．2Wcnl吐k吐aIldlarge coupling Ther髂ea“Ihdemons乜atetllat tlledi仃erentoricIItationofAlNfilmshaveitsown and value．Sothecon缸Dlofmeorientationandthe propertypractical印plication of也e丘lIIlis for inⅡle crysta_lquality device． importantits印plic