带前放Si-APD探测器动态特性的研究.pdf

硕士论文 带前放Si．APD探测器的动态特性研究 摘 要 雪崩光电二极管(ApD)具有响应度高、响应速度快，体积小等突出优点，使得它 在微弱光信号检测领域中得到了广泛的应用。它借助反向偏压的作用产生载流子的倍增 效应，其性能参数与反向偏压、环境温度和背景光亮度等有着密切的联系。为此，论文 在实验上研究了带前放Si．APD探测器的动态特性。 论文在深入资料调研的基础上，给出了带前放Si．APD探测器动态特性表征参量的 物理含义及其测试方法，并建立了可在不同环境温度下测量带前放Si．APD探测器动态 1．30×10。4W／√HZ，与厂家给出参数具有较好的一致性，这充分说明了测试方法和装置 的可靠性。在此基础上，测量和分析了该探测器工作在不同环境温度和背景光强时的最 佳工作点及其最佳工作点参数，结果表明随着背景光强的增大，最佳工作点电压降低， 明显偏离厂家给出的最佳工作点位置，这对于APD光检测系统的优化设计具有重要参考 价值。此外，随着背景光强的增大，最佳工作点的电压响应度下降，噪声等效功率和暗 电流上升；随着环境温度的升高，最佳工作点电压也升高，其温漂系数大约为2．4V／℃； 随着环境温度的升高，最佳工作点的电压响应度下降，暗电流和噪声等效功率上升。综 上可见，论该文的研究成果对于带前放Si．APD探测器的动态特性及其优化应用研究具 有一定的参考价值。 关键词：雪崩光电二极管，电压响应度，工作电压，温度特性 硕士论文 Abstract A~ral锄che ch撒cteristicof smml photodiode’s it i11me field．nrcalizc e舵ct sizcmakes low by be埘dely髑ed lightsigllal I姗ltiplier c删erswitll廿leof ch盯acteriStic helpVi觞Voltage．n’s lligldy generateiIlg p砌ete瑙are a11dthel吼inanceof耐bient wim、，i觞Voltage、tempera：cure lightsi罂lal．So蛳s corrcspoIld makearesearchontlle charact砸sticofSi-APD paper dyn锄ic photodetector． Onnleb嬲eof of nle of iIlfom：lation，t11is in．depthirⅣeStigation paperexpl2LinsmeaIlings c胁cterize ofSi·APDPhotodetector嘶Ⅱ1andbuild dyn砌c p锄meters pre锄plifier up缸 a_tfomnlatc孤beusedt0 tlle atdifferent mearsure eXl)erimentpl