4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管静态特性.pdfVIP

奄a叶技2013年第26卷第8期 ElectronicSci． Tech．／Aug．15．2013 4H．SiCTSOB结势垒 肖特基二极管静态特性 苗志坤，李天琪，徐立坤 (哈尔滨工程大学信息与通信工程学院，黑龙江 哈尔滨 150001) 摘 要 为增强器件的反向耐压能力，降低器件的漏电功耗 ，采用SilvacoTCAD对沟槽底部具有 SiO，间隔的结势 垒肖特基二极管(TSOB)的器件特性进行 了仿真研究。通过优化参数来改善导通压降( )一反向漏电流(，)和击穿电 压的折衷关系。室温下，沟槽深度为2．2 m时，器件的击穿电压达到 1610V。正向导通压降为2．1V，在 =3V 时正向电流密度为 199A／cm 。为进一步改善器件的反向阻断特性 ，在P型多晶硅掺杂的有源区生成一层 SiO，来优化 漂移区电场分布，此时改善的器件结构在维持正向导通压降2．1V的前提下，击穿电压达到 1821V，增加了13％。 在 1000V反向偏置电压下，反向漏电流密度比普通结构降低了87％，有效降低了器件的漏电功耗。普通器件结构的 开／关电流比为2．6×10(1V／一500V)，而改善的结构为 1．3×10(1V／一500V)。 关键词 结势垒肖特基二极管；导通压降；击穿电压；反向漏电流 中图分类号 TN387．5 文献标识码 A 文章编号 1007—7820(2013)08—026—04 StudyontheStaticCharacteristicsof4H-SiCTSOB JunctionBarrierSchottkyRectifiers MIAO Zhikun，LITianqi，XU Likun (CollegeofInformationandCommunicationEngineering，HarbinEngineeringUniversity，Harbin150001，China) Abstract Trenchtypeschottkyrectifierwithoxidemassintrenchbottom (TSOB)issimulatedwithSilvaco TCAD toenhancethereverseblockingcapabilityandleakagecurrentpower．Forimprovingtheforwardvoltagedrop (VF)-reversecurrentdensity(IR)trade—offandthebreakdownvoltagearesimulatedandoptimized．Thebreakdown voltageofTSOB is1610Vandtheforwardvoltagedropis2．1Vat300K．Inordertoimprovethedevicecharacter— istics，oxidemassisinjectedintothetrenchofTSOB．Thebreakdownvoltageis1821V，whichisabout13％ morethanthatoftheTSOB．Thereversecurrentdensityisreducedby87％ comparedtotheTSOBwithoutsacrifi— cingtheforwardvoltagedropatreversebiasof1000V．Inaddition，theoptimizedstructurehasaon／offcurrentra— tioof1．3×10 (1V／一500V)，whereastheTSOBexhibitsaratioof2．6×10 (1V／一500V)． Keywords junctionbarrierschottkyrectifier；forwardvoltagedrop；breakdownvoltage；rev