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AN-5232 高效率的新一代超结 MOSFET、SuperFET® II 和 SuperFET® II Easy Drive MOSFET （低开关噪音） 引言 功率 MOSFET 技术继续朝着提高超晶格密度以降低导通 电阻的方向发展。超结器件所运用的电荷平衡理论于十 年前引入半导体行业，并在高压功率 MOSFET 市场设立 了新的标杆[1]。超结 (SJ) MOSFET 可以实现更高的功率 转换效率。然而，超结 MOSFET 超快的开关性能也带了 不必要的副作用，比如电压、电流尖峰较高、电磁干扰 较差等。根据最近的系统趋势，提高效率是关键目标， 而单纯为了减少电磁干扰而降低开关器件的速度，并非 最佳解决方案。飞兆最近新增 SuperFET ® II MOSFET 系列，在高电压功率 MOSFET 产品组合中使用最新的超 结技术。通过采用这种技术，飞兆在高端交流-直流开 关电源应用中提供优越的性能，可适用于服务器、电 平面型MOSFET 信、计算机、工业供电、UPS/ESS、光伏逆变器以及照 明等，以及要求较高功率密度、系统效率和可靠性的消 费类电子产品。利用先进的电荷平衡技术，飞兆半导体 引入 600V N 沟道 SuperFET ® II MOSFET 系列，以帮 助设计师们实现更高效和高性能的解决方案，，并缩小 电路板空间、减少电磁干扰、提高可靠性。 超结MOSFET技术 通常认为 R × Q ，即品质因数 (FOM) 是开关电源 DS(ON) G (SMPS) MOSFET 唯一重要的性能指标。因此而开发了数 项新技术以改进 R × Q 图 1 FOM。显示了平面型 DS(ON) G MOSFET 和超结 MOSFET 的截面结构和电场分布。平面 型 MOSFET 的击穿电压取决于漂移区掺杂度及其自身厚 度。电场分布的倾斜度与漂移层掺杂度成正比。因此， 超结MOSFET 需要较厚且轻掺杂的外延层来支持更高的击穿电压。 图 1. 功率 MOSFET 的截面结构和电场分布 © 2013 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. 1.0.2 • 10/23/13 AN-5232 应用指南 高压 MOSFET 的导通电阻主要来自漂移区： 导通电阻 由于采用这种 P 型柱结构，与传统平面结构相比，N 随较厚且轻掺杂的漂移层呈指数增加，从而实现较高的 型外延区的电阻显著减少，同时维持了同等的击穿电压 击穿电压。在高压 MOSFET 技术中，实现导通电阻减少 [2]- [4]。这种新技术打破了硅在导通电阻上的限制，并且 最有效的方式是图 2中所示的超结技术。与传统平面技 与传统平面工艺相比，单位面积的导通电阻仅为原来的 术的量子阱结构不同，超结技术体中采用了较深的 P 1/3。该技术还拥有独特的非线性寄生电容特性，可减 型柱结构。柱结构可有效限制轻掺杂外延区中的电场。 少开关功率损耗。 图 2. 平面 MOSFET /超结 MOSFET 的特征 RDS(ON) 与击穿电压的函数关系 表 1显示了飞兆超结 MOSFET 的历史。飞兆的第一代超 MOSFET 每个给定区域的导通电阻甚至不到 SuperFET® 结 MOSFET，SuperFET® I MOSFET 超越了 2003 年引入 I MOSFET 的 40% 。适用于谐振变换器的快速恢复 的平面 MOSFET 的性能。