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第 58 卷 第 3 期 2009 年 3 月 物 　理 　学 　报 Vol . 58 ,No . 3 ,March ,2009 ( ) 10003290200958 03 189605 ACTA PHYSICA SINICA 2009 Chin . Phys. Soc . μ p 型掺杂 13 m InAsGaAs 量子点激光器 的最大模式增益特性的研究 季海铭 　曹玉莲 　杨 　涛 　马文全 　曹 　青 　陈良惠 ( 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 ,北京 　100083) (2008 年 7 月 23 日收到 ;2008 年 9 月 2 日收到修改稿) μ 　　对 p 型掺杂 13 m InAsGaAs 量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析. 实验上 ,测量了不同腔长 激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系 ,拟合出的最大模式增益为 175 cm - 1 ,与相同结构非掺杂量子点激光器 的最大模式增益一致. 同时理论分析表明 ,p 型掺杂对 InAsGaAs 量子点激光器的最大模式增益并无影响 ,并且最大 模式增益的计算结果与实验值相符. 具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益 ,而较高的最大 模式增益对 p 型掺杂 13 μ m InAsGaAs 自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义. 关键词 : 最大模式增益 , p 型掺杂 , InAsGaAs 量子点激光器 PACC : 6865 , 7320D , 4255P 器成为下代高速局域网光源的有力候选者之一. 1 引 言 增加激光器有源区量子点的密度 、生长多层量 子点结构 、减小自组织生长量子点的非均匀展宽在 自从对理想量子点激光器进行理论分析 以 本质上其实都是提高 了激光器 的最大模式增益 来[ 1] ,量子点激光器因与传统体材料和量子阱激光 ( G ) . 简单地说 ,最大模式增益表征的是激光器模 max ( ) 器相 比具有低 阈值 电流密度 J th 、高特征温度 式增益随着注入的增加所能达到的最大值. 较高的 ( T ) 、高调制带宽等性能而备受关注. 1994 年发光 [4 ] 0 最大模式增益一直是许多研究小组研发的目标 . 本文从实验和理论两方面对 13 μ 波长在 13 μ m InAsGaAs 量子 m 的自组织生长 InAsGaAs 量子点被报 道后[2 ] , 几个研