交错结构的一维压电复合板的带隙研究.pdfVIP

第32卷第6期 声学技术 V01．32．No．6Pt．2 2013年12月 1echnicalAcollstics Dec．．2013 交错结构的一维压电复合板的带隙研究 朱一凡，邹欣晔，程建春 (南京大学声学研究所，南京，210093) Bandofone—dimensional with gaps piezoelectriccoⅡlpositeplate a SⅡUCnlre StaggereQ—la，ver ’●，’●一， r ZHU JiaIl-chuIl Yi-蠡m，ZOUXiIl-ye，CHENG Q∞n姒le《Aco淞ncs．N删堍UH跳rs吼N口哪如g2l0093．chi娴 O 引言 D=￡■(工)a，“一岛(x)a，缈 弹性波禁带的存在是声子晶体的重要特征。过 我们考虑的边界条件分为力学边界和电学边界： 去的近二十年中，有很多关于复合材料和声子晶体 应力边界条件： 中弹性波的禁带结构理论研究，以及关于存在声禁 砭b．一=0 带的实验研究u喝1。ChenH’等严格计算了一维复合薄 (5) 板中兰姆波能带结构。Hsu和wu晡1运用平面波展开电边界条件： 法研究了二维声子晶体板中兰姆波的声传播。 开路： 皱b，一2掣b，一 (6) W儿m哺1等人给出了三维压电复合材料中关于体波的 平面波展开法模型。cheng旧’提出一种交错结构的一 短路： 妒b=0 (7) 维声子晶体板，随着交错率的改变带隙会关闭或打 开，从而改变声子晶体带隙的位置和宽度。本文将 研究这种交错结构对压电材料的声子晶体带隙的影 响，并分析交错结构中不同电边界条件下的带隙的 特性。 1模型和计算原理 ‘≮≮“≮ 如图1(a)所示，压电复合板由材料A压电陶瓷 PzT-5H和材料B环氧树脂构成，宽度 以=南=讹=1mm。分为上下两层，厚度 办厂也=办／2=lI砌。交错结构是将上下两层错开一 定距离，如图1(b)所示，错开距离为而。 2交错结构压电复合板的带隙 考虑到压电体内的本构关系，系统中晶格位移 u(x，z，t)和电位移D(x，z，t)的运动耦合方程如下： 图2给出了交错结构的一维压电复合板在不 p(x)西，=a，乃 (1) 同交错距离和不同电边界条件下，声波的传播特 a，q=o (2) 性，分别给了出d声0mm，d庐0．5mm开路和短路， 乃=c州(x)a，“^+％(工)a，伊(3) 办=0．3mm开路和短路条件下的能带结构。 由图2(a)和(b)可知，无交错结构时高频 基金项目：国家自然科学基金 作者简介：朱一凡(1989年生)，男，江苏南京人，汉族，硕士研究生在读，