掺杂SiW12-CNT的聚苯胺膜修饰电极的制备及电化学性质研究.pdfVIP

中国化学会第十六届有机分析与生物分析学术研讨会论文集 掺杂SiW12-CNT 的聚苯胺膜修饰电极的制备及电化学性质研究 张晓文，黄玉梅，杨水金，张海丽* 湖北师范学院化学与环境工程学院，湖北黄石，435002 hailizh@163.com 摘要：采用电化学方法制备了聚苯胺-碳纳米管-硅钨酸（PAn-CNT-SiW12 ）复合膜修 饰电极，研究了抗坏血酸（AA ）在该电极上的电催化氧化行为。考察了修饰电极对 AA 的安培响应。结果表明，在3到115μmol/L浓度范围内，AA 的氧化峰电流与其浓度 呈现良好的线性关系。 关键词：聚苯胺；碳纳米管；硅钨酸；电催化氧化 中图分类号：O657.1 聚苯胺导电聚合物膜具有良好的稳定性和导 电性，碳纳米管具有良好的催化活性[1, 2] 。将杂多 酸有效地掺杂在聚苯胺膜中，能增大其比表面积， 提高催化效率。抗坏血酸是维持人体健康的重要维 生素之一，缺乏它将导致机体抗病能力降低。其定 量分析在食品、医药领域中有重要意义。实验制备 了聚苯胺-碳纳米管-硅钨酸复合修饰电极,研究了 AA 在该电极上的伏安行为，并对橙汁中的抗坏血 酸含量的测定进行了研究。 Fig 1 Cyclic voltammograms of PAn-SiW12/GC (a, b) and PAn-SiW -CNT/GC (c, d) in pH 2.0 Na SO -H SO buffer 1 仪器与方法 12 2 4 2 4 solution with a scan rate of 50 mv/s in the presence of 1.0 CHI660 电化学工作站(美国 CHI 公司)。电化 mmol/L AA(b, d) and absence of AA (a, c) 学实验用三电极系统，玻碳电极(d=4mm)为工作电 极，铂丝电极为对电极，饱和甘汞电极 (SCE)为参 在最优化条件下，考察了扫速对AA 的电化学 比电极，文中所有电位均是相对饱和甘汞电极而 氧化行为的影响。结果表明，在一定的扫速范围内， 言。 AA 的氧化峰电流与扫速呈良好线性关系。同时考 取含 SiW 、CNT 的0.5mol/L H SO 溶液，充 察了修饰电极对AA 的安培响应。结果表明，在一 12 2 4 定浓度范围内，AA 的氧化峰电流与其浓度呈现良 氮后加入苯胺，在氮气氛下用电聚合方法制备修饰 好的线性关系。能用于橙汁中抗坏血酸含量的测 电极。 定。 2 结果与讨论 在 pH 2.0 Na SO -H SO 缓冲溶液中， 1.0 参考文献： 2 4 2 4 mmol/LAA 在裸 GC、PAn-SiW12/GC、PAn-SiW12- [1] GUO W H, XU L, XU B B, YANG Y Y, SUN Z X, LI