SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究.pdfVIP

SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究 高博1·2～，余学峰m，任迪远1一，李豫东∽，崔汀维12·3 李饺顺1．2,3李明1·2～，王义元1·2·3 (1．中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐830011； 2．新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆乌鲁木齐830011； 3．中国科学院研究生院，北京100049) 摘要：本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发，分析了器件功能失效时反相器输出波形随累 SRAM型FPGA器件60Co 积剂量的变化关系，进而研究Aitem Y射线辐照后的总剂量辐射损伤效应。 实验结果表明：由于场氧漏电和结构漏电的影响，随着累积剂量的增加输出波形发生畸变，峰峰值变 为原来的十分之一左右，但输出波形还有相对的高低电平；同时，输出高电平不能保持原有的状态， 迅速地向低电平转换，并且转换速度随着累积剂量的增加而加快，输出低电平相对初始值有一定程度 抬高；由于栅氧厚度变薄，输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积