Ti%2fPt%2fAu-n-GaN欧姆接触电极研究.pdfVIP

第十二届全国固体薄膜学术会议 南宁2010 Ti／P似u．n．GaN欧姆接触电极研究 曾畅1张书明1朱建军1赵德刚1江德生1刘宗顺1于辉1种明1段俐宏1王海1 史永生1杨辉1，2 1．中围科学院半导体研究所，集成光电子国家重点实验室，北京100083 2．中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，苏州215123 摘要：本文研究了Ti／Pt／Au多层金属结构与n．GaN的电学接触热稳定特性。将样品在氮气保护下选 择不同温度快速热退火10分钟，并运用圆形传输线模型表征了其比接触电阻率。结果表明：在低于 480℃的温度下退火后，其特性仍为良好的欧姆接触特性且比接触电阻率低于8×10。4Qcnl2。同步辐 射实验表明：在N2氛围中480℃退火10分钟，Pt层有效阻挡了Au的扩散，同时，Pt与Ti的扩散 在580℃时才比较明显。ASE深度分析也表明：480℃退火，Pt有效地阻挡了Au向里的扩散，Pt 和Ti之间存在一定程度的互扩散，但Pt并没有扩散至GaN表面。Ti／Pt／Au在580℃退火后，其特 性f}1退火前的欧姆特性变为退火后的肖特基特性