利用半導體光放大器之非線性效應將雙邊帶訊號改變成單邊帶.pdfVIP

利用半導體光放大器之非線性效應將雙邊帶訊號改變成單 邊帶訊號 實驗目的 利用半導體光放大器 (Semiconductor Optical Amplifier, SOA)的非線性效應將 雙邊帶訊號 (Double Sideband, DSB)改變成單邊帶訊號 (Single Sideband, SSB) ，光 訊號的 DSB 特性，在光纖微波(Radio-Over-Fiber, ROF) 系統容易受到光纖色散的 影響而導致微波功率的衰減，進而影響無線部分的傳輸。此問題可以利用單旁模 SSB調變的方式來改善，因此 SSB 光源系統被研發討論，要維持 SSB訊號的情 況本實驗以兩個控變數來做調整分別以分佈式反饋雷射( Distributed Feedback Laser Diode, DFB LD)的操作電流及半導體光放大器的操作電流，藉由此調整參 數特性來操作改變而觀測實驗標的。 實驗原理 非線性光學效應比較成熟的應用及發展中，利用倍頻和混頻效應、可調變此 參數產生其震盪及受激散射等效應，亦創造新的雷射光源之物理途徑。半導體光 放大器特性分析半導體光放大器具有體積小、功率損耗低、容易做成積體電路、 壽命長等優點，半導體光放大器不僅能進行光放大，且具有高的非線性效應，可 作為波長轉換、光開關、光譜轉換、時間取樣使得其廣泛的應用與重視，但易受 極化影響雜訊指數高且頻率響應快速，穩定性較差。對於光纖通訊傳輸，其非線 性折射率很小，因此在光纖通訊系統中，半導體光放大器往往取代光纖作為非線 性介質，廣泛應用於各種功能光元件。本實驗主要目的是研發一具有 SSB 光源 之特性，在先前技術中利用外部光注入半導體雷射來達成 SSB 光源，則本次以 SOA 非線性效應特性使信號改變成 SSB 光源。 利用一 DFB 雷射二極體(Distributed Feedback Laser Diode) DFB LD的光源 輸出由( Optical modulation index) MZM調變，使光源產生 DSB信號，在經 SOA 特性使光信號改變成 SSB 光源輸出監測其光波頻譜。光源近入到 SOA的非線性 動態，利用能階間躍遷的受激輻射進行光放大，為了提高增益去掉共振腔，由電 流直接激勵，可以獲得較大增益且頻寬更廣，使光源輸出得到調變，因此形成一 個 SSB 光源信號。半導體光放大器(SOA)工作原理就如同半導體雷射，利用能階 間躍遷的受激輻射進行光放大，為了提高增益去掉共振腔，由電流直接激勵，可 以獲得較大增益且頻寬更廣，SOA輸入光功率等於飽和功率時，材料增益係數 降為一半。隨著輸入光功率的增加，增益會減少，這是因為輸入光會消耗內部載 子所導致。輸入光的增加會增加激發放射而減少居量反置的自由載子量，進而降 低增益值。此現象稱為增益飽和 (gain saturation) 。增益飽和是 SOA 很重要的特 性，它對 SOA 作為中繼器或是多通道放大器之性能有很大的影響。 SOA 工作 於飽和區範圍則有非線性的特性，目的則利用了此效果達到成效。 實驗架構 圖一、光源注入 SOA 示意圖 實驗儀器 1 、分佈式反饋雷射二極體(DFB LD) 2 、Mach-Zehnder型調變器 (MZM) 3 、半導體光放大器(SOA) 4 、光譜分析儀(OSA) 實驗結果 量測結果於圖一中之 A 端與 B 端所量測到之光譜圖，在圖二中為 DFB 光源 輸出經由 MZN載入 10GHz (RF signal)調變在 A 端所觀測光頻譜圖為 DSB信號， 而B 端為由 SOA 非線性效應產生使光信號改變成 SSB信號由圖三所示。其改變 SOA 、DFB驅動電流，觀察光譜變化由圖四到圖十三所示，於給定不同的電流 及產生不同的非線性抑制效應。 圖二、 A點未注入 SOA 光譜圖 圖三、 B點注入 SOA後光譜圖 圖四、 DFB 90mA ，SOA 300mA 圖五、 DFB 70mA ，SOA 300mA 圖六、 DFB 60mA ，SOA 300mA 圖七、 DFB 50mA