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RFID_XO设计报告 设计内容 1）对晶体振荡器的核心振荡电路进行了详细的大信号和小信号分析，给出了偏置电流，振幅和驱动管之间的关系。 2）介绍了晶体振荡器相位噪声理论，并根据该理论对晶振的相位噪声性能进行了优化。在电路中增加了一个RC滤波器，提高了相位噪声性能。 3）使用tsmc0.18工艺具体设计实现了一种10M和20M的晶体振荡器。 晶体振荡器理论 2.1 晶体等效模型 从理论上讲，晶体的每一个机械振荡模型都可以等效为电效应中的一个Rs,Ls,Cs串联谐振支路，其串联阻抗为Zs。而在实际的振荡过程中，振荡只发生在一种特定的工作模式，因此晶体可以等效为对应的一组串联RLC支路，而与其它工作模式对于等效的支路可忽略。所以，晶体谐振器的等效模型如图2.1，我们要清楚真正起谐振选频作用的是晶体本身，也就是串联RLC支路，并联支路为其静态电容和封装电容。 晶体的阻抗表达式为： （2.1） 式2.1中Z为晶体阻抗，s为拉普拉斯变量，RsLsCs分别为晶体的等效串联支路的电感电容和电阻，Cp为晶体的等效并联电容。 图2.1 石英晶体等效模型和符号 对于AT切片型石英晶片，其串联谐振频率fz(kHz)约为1670除以晶片的厚度T(mm),并联电容约为串联电容250倍，等效串联电阻为几欧姆到几百欧姆不等。 串联Q值： 并联Q值： 从晶体的等效模型可以看出，晶体存在着两个振荡频率，分别是串联谐振频率fs和并联谐振频率fp。 fs又称为本振频率，它只跟晶体本身的参数有关，同外部的影响无关。我们希望晶振的工作频率越接近本振频率越好，因为并联谐振频率fp跟Cp有关，而Cp又与外界的电容有关，有一定的不可控制性。引入一个概念：牵引因子，用来衡量振荡器相对于本振频率的偏移。 一般情况下 图2.2 石英晶体阻抗频率特性曲线 根据谐振晶体的模型和阻抗表达式可以得到谐振晶体的阻抗特性图，如图2.2。可以看出，在频率从低到高的增加的过程中，起初晶体可以被看作一个电容，其阻抗值随着频率的增加不断的降低。频率增大到谐振频率fs处，情况出现变化，阻抗有一个90度的相移变为正值，即从容性变为感性。事实上，晶体振荡器工作时就发生在fs到fp的区域，此时晶体表现为电感特性，如果外部网络表现为电容特性提供一个负阻，就可能会发生振荡。 2.2 晶体振荡器的性能指标 晶体振荡器的性能指标主要包括：功耗，相位噪声，振荡幅度，频率稳定度，启动时间，带负载能力等，其中最重要的是功耗和相位噪声。 2.2.1 功耗 晶体振荡器的功耗分两部分，一部分是晶体的机械振动消耗，另一部分是有源振荡电路的消耗。晶体功耗的表达式为： 其中，Px为晶体的功耗，fp为并联谐振频率，CL为晶体的电容负载，Vx为晶体两端的输出电压幅度。 这一指标具有非常重要的意义，晶体参数一般会给出最大驱动功率，若在实际应用中晶体功耗超过了该值，则被称为过驱动。过驱动的状态会加速晶体的老化，影响晶体的长期频率稳定性，严重时甚至会发生晶体的损坏，晶振停振等。 有源振荡电路的功耗可由瞬时功耗积分得到： 但上式一般只用于理论上的工具求功耗，在实际设计时，晶体振荡电路的功耗同芯片内的其它模块的功耗一样，一般用平均电流I来表示。 2.2.2 相位噪声 晶体振荡器的频率稳定度分为两种：长期频率稳定度和短期频率稳定度。 我们知道，世界上所有的东西都不是一成不变的，谐振晶体随着使用时间的增加，会逐渐的发生老化，性能参数会慢慢的发生变化，随之它的谐振频率也会发生改变。而且，周边环境的变化也会影响到晶振的谐振频率。从长期时间上看，晶体频率的变化有一定的确定性。该指标被称为晶振的长期频率稳定度。随着晶体生产研究技术的发展，现在的晶体的长期频率稳定度一般都比较理想，通常可以控制在10ppm/10years内。 短期稳定度指的是噪声引起的振荡信号的频率波动。通常有两种方法表示短期频率稳定度，从时间域上讲就是抖动时间，从频率域的角度考虑就是相位噪声。晶体振荡器中低频偏处的相位噪声主要来源于晶体谐振器，而高频偏处的相位噪声则主要来自于振荡电路。影响电路噪声变为相位噪声的因素包括：振荡电路特性的非线性，不稳定的振荡幅度以及过大的驱动功率。 频率综合器低频偏处的相位噪声会影响被调制信号，降低它的信噪比；高频偏处的相位噪声会干扰其它信号信道。而频综中低频偏相位噪声的主要来源就是晶体振荡器。因此，晶体振荡器的低相位噪声性能对整个射频收发系统来讲都是非常重要的。 2.2