SiGe+HBT伽马辐照效应研究.pdfVIP

第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 Sj GeHBT伽马辐照效应研究奉 杨晨1，程兴华1，龚敏1～，石瑞英1～，刘伦才3，谭开洲3 (1．四川大学物理科学与技术学院微电子学系，成都，610064) (2．微电子技术四川省重点实验室，成都，610064) (3．模拟集成电路国家重点实验室，重庆，400060) 摘要；文中对SiGe异质双极晶体管(HBT)室温条件下的伽马辐照效应进行了研究．研究结果表明， 伽马辐照总剂量达到1．0X 106r毅l(Si)时，其直流电流增益极大值的减小量不超过8％，表现出了良好的抗伽 马辐照特性．其电流增益的减小主要是集电极电流的减小引起的，而不像其它文献那样是由于基极电流的增 加产生的．文中同时研究了辐照时偏置条件对器件辐照特性的影响，发现辐照时的偏置条件对SiGeI-IBT器件 的辐照效应影响不大．文中对实验现象进行了分析和讨论． 关键词：SiGe髓T，总剂量效应，Y辐照 SiGe HBT具有高频、低噪声、传输时间短、电流增益大、低温特性好，抗辐射性能好等优点，被 广泛的应用于卫星、空间站等辐照环境中。为此，研究SiGe HBT的抗辐射性能及辐照机理是非常重要 的。目前国内外对SiGeHBT器件的Y辐射效应所做的工作主要集中在以下三个方面： 1)室温下SiGe HBT器件的Y辐射效应【l翊。实验发现，Y辐射后，SiGeI-IBT器件的电流增益降 低，基极电流增加，集电极电流的变化不显著。目前的观点认为基极电流增加是辐照在氧化层中产生的 高于普通三极管。 2)低温条件下的辐射效应【3l。研究结果表明，低温条件下的抗辐照效应要优于室温。是由于低温 减慢了陷阱态产生的进程，限制了陷阱的净产生率。 3)低剂量率辐射效应M。达到同样的总剂量时，低剂量率器件的损伤程度要大于高剂量率。原 因是处于低剂量率辐射的氧化物中纯电荷的增加。 HBT 尽管对上述几个问题均有研究，但SiGcHBT抗y辐射的机理并不十分清楚。为此我们对SiGe Y辐射的总剂量效应进行了研究。研究发现，Y辐射后，SiGeI--IBT的电流增益在集电极电流较低时增 加，而在集电极电流密度较高时减少。这是因为Y辐射后SiGeHBT的基极电流略微增加，而它的集电 极电流在BE结偏置电压较低时增加，在BE结偏置电压较大时反而减少。文中同时也研究了Y辐射时 所加的偏置条件对器件特性的影响，实验中没有发现明显的规律性。文中对实验现象进行了分析讨论。 1实验方法 辐照所用器件为SiGe HBT。辐照实验是在中科院新疆理化技术研究所的60co伽马源上进行的，辐 104md(Si)、3．0X104rad 4．7V)等九个偏置条件。辐照的剂量率为159rad(Si)／s。当总剂量分别达到1．0X 1．0X 106rad(Si)时，降源取出样品并对其进行测量，测量时间不超过20分钟。测试的主要参数有： B‰，B‰，B％跏B‰，GP图，放大倍数与尼的关系，输出特性曲线。 ‘本文由模拟集成电路国家重点实验室基金项目支持(51439040105SC02) 130 杨晨，程兴华，龚敏等：SiGeHBT伽马辐照效应研究 2实验结果及讨论 可以看出，辐照后基极电流略微增加。而Y辐照后SiGeI-IBT的集电极电流在发射结电压较低时大于 辐照前的；当发射结偏压较大时反而小于辐照前的。图2给出了Y辐照前和辐照后总剂量达到1x106rad Y辐照后的电流增益增加，而集电极电流较大时的电流增益却略有下降。集电极电流较小时，电流增 益的变化主要是由于集电极电流的变化引起的；而当集电极电流较大时，电流增益的略微减小则与集电 极电流的略微减小和基极电流的略微增加有关。 上述实验结果与已发表