淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究.pdfVIP

维普资讯 第7卷第4期 功能材料与器件学报 Vol7，No4 2001年 12月 JOURNALOFFUNCT10ANLMA盹 RIALSANDDEVICES Dec，2001 文章编号：1007—4252(2001)04—0401—04 淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究 闶 靖 ’，邹子英 ，李积和 ，陈青松 ，周子美 ，陈 一3 (1．上海市计量测试技术研究院，上海 200233； 2．上海硅材料厂 ，上海 松江 201617； 3 复旦大学材料研究所，上海 200433) 摘要：在器件的高温工艺过程中乡晶硅再结晶，晶粒不断地长大，乡晶硅层厚因高温氧化而减薄直 到完全耗尽。在多晶硅层完全去除后在硅衬痣中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用。多 晶硅能促进硅片内曲氧沉淀成校和生长，起 内嗫杂作用。本文提出了乡晶硅持续吸杂曲机理。 关键词：多晶硅吸杂；内吸杂；增强吸杂；氧沉淀 ；氧化层错；洁净层 中图分类号：TN305．2；0474；077 文献标识码：A StudyofpolysilicondepositedOilbacksidesurfaceofsiliconwafersforgettering MINJing，ZOUZi—ying，LIJi—he，CHENQing—song2，ZHOUZi—mei，CHENYi f1．ShanghaiInstituteof~easuremenlandTestingTechnology，Shanghai200233，China； 2．ShanghaiSiliconMaterialsFactory，Shnaghai201617，China； 3．InstituteofMaterialScience，FudanUniverMty，Shnaghai200433，China) Abstract：ThePolysiliconrecrystallizesanditscrystallinegrain growsupduringthehightemperature processofdevices．Polysiliconlayer isthinneddo-~naandremovedthoroughlybythehightemperature oxidation．Hi曲densityofstackingfaultsinducedinhtesiliconsubstrateactasgetteringcenlelseven afterhtepolysiliconisremoved．Thepolysiliconcanenhanceoxygenprecipitationnucleatingnadgrow— ing,actingashteintrinsicgettering Themechanism oftheduration ofpolysilicongetteringisproposed- Keywords：polysilicongettering； intrinsicgettering；enhancedgettering；oxygenprecipitation； stackingfault；denudedzone 1 引言 晶格无序和晶粒间界起杂质吸除作用 ，这是外吸除 随着集成电路的发展 ，对硅材料的质量提出了 技术之一 “1，这在硅片生产中已得到广泛应用。多晶 越来越高的要求，主要是减少晶格缺陷和降低重金 硅吸杂的效能已有研究报导”一1。 属杂质的沾污，所 以一方面要提高硅单晶和硅片加 本工作通过透射电镜 (TE