单步电沉积法制备CuInS_2薄膜.pdfVIP

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) December ActaPhys．一Chim．Sin．，2009，25(12)：2445—2449 2445 www．whxb．pku．edu．cn 单步电沉积法制备 CuInS2薄膜 李 娟 莫晓亮 孙大林 陈国荣 (复旦大学材料科学系，上海 200433) 摘要： 采用单步电沉积法在Mo基底上制备了高质量的CulnS薄膜．用X射线衍射仪 (XRD)~I扫描电子显微 镜(sEM)表征了样品的结构和形貌，研究了沉积电位、退火温度、pH值 、反应物浓度等工艺条件对制备的CulnS 薄膜形貌、组分及性能的影响．制备的CuInS薄膜致密平整，呈黄铜矿结构，晶粒大小为 1-2 m．用紫外一可见光 分光光度计测试了其光学性能，计算得到常温下禁带宽度为 1．4lev，非常适合用作薄膜太阳电池的吸收层材料． 关键词： 太阳电池； CuInS； 单步电沉积法； 沉积电位； 退火温度 中图分类号： 0649 PreparationofCuInS2ThinFilm sbyOne·StepElectr0depOsitiOn LIJuan MO Xiao—Liang SUN Da—Lin CHEN Guo—Rong (DepartmentofMaterialsScience，FudanUniversity，Shanghai 200433，PR．China) Abstract： I-III—VI2ternarychalcopyfitecopperindium disulfide (CulnS2)filmswerepreparedbyone—step electrodeposition technique on molybdenum substrates．The structure and morphology ofthe samples were characterizedbyX—raydiffraction (XRD)andscanningelectronmicroscopy(SEM)，respectively．Theeffectsof depositionpotential，annealingtemperature，pH，andsolutionconcentrationontheformationofhteelectrodeposited thinfilmswereinvestigated．TheprepraedCuInS2thinfilmswerefoundtobecompactanduniform wiht grainsizesof 1-2ixm ．Th eiropticalpropertywascharacterizedbyUV—Visspectrophotometryandthebandgapvaluewascalculated |nbe1．4】eV． KeyW ords： Solra cell； CuInS2； One—stepe1ectrodeposition； Depositionpotential； Annealingtemperature CuInS是 I—III—VI族直接能隙半导体化合物， 子层沉积法 ，离子层气相反应法…2l，电化学法㈣， 禁带宽度 1．50eV，对可见光的吸收系数高达 10 喷雾热解法 等；多步硫化法则须先用蒸发 、溅 cm 数量级，以其作为太阳电池的光吸收层，厚度仅 射_l7J或电化学沉积㈣等方法制备金属预置层，然后 需 1-2 m，可极大地降低成本 ．据Meese等Ⅲ的理论