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继电器动触头完全氧化工艺试验初探.pdf

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继电器动触头完全氧化工艺试验初探.pdf

第 1期 机 电 元 件 V01.29No.1 2009年 3月 ELECTRoMECHANICAL C0 oNENTS MaL2o09 继 电器动触头完全氧化工艺试验初探 赵 莉 (西安铁路信号工厂,陕西 西安 710048) 摘要:基于银镉触头材料通过完全 内氧化后能有效地降低继电器的接触电阻的机理,通过试验及分析对继 电器动触头完全内氧化的工艺参数进行 了确定。 关键词:继电器;动触头;完全 内氧化;过氧化;AgCdO(12) 中图分类号:TM58 文献标识码:A 文章编号:1000—6133(2009)ol一0039—03 部变成AgCdO(12)材料,触头电阻率就小了,在外界 1 引 言 因素完全相同的情况下,完全氧化触头的接触电阻自 近年来,部分使用现场反映我厂生产的安全型 然也就比未氧化透的小很多。 继电器接触 电阻过大,继电器接点不能可靠地工作, 2.2 内氧化工艺参数对触头质量的影响 严重影响了铁路行车安全。因此,分析继 电器接触 银镉材料动触头的内氧化工艺参数 (氧化温 电阻增大的原因及提出相应的解决措施就显得尤为 度、氧化时间和通氧压力)是影响触头质量的决定 重要。 性因素。只有选择合适的工艺参数才能得到各项性 能合格的动触头。触头 内氧化后晶粒大小、CdO颗 2 影响继电器接触 电阻的内因 粒的大小和分布是否均匀,是否产生了过氧化等是 2.1 银镉触头材料完全 内氧化(氧化透)的作用 影响触头质量的关键指标。特别是不能产生过氧 安全型继电器多采用传统的银或银镉合金触头。 化,因为过氧化会造成晶粒粗大,CdO颗粒粗大,并 影响继电器接触 电阻的因素很多,我们做了大量试 向晶界富集,会造成晶界弱化,使触头变脆,触头工 验、分析,取得了一定的效果,但大多是解决触头接触 作时容易断裂,当然这是不允许的。为此必须找出 电阻大的外因。解决触头接触电阻大的问题还应该 合适的工艺参数,使得既能保证触头全部氧化透,又 解决内因,即解决触头材料本身电阻率高的问题。增 不会使触头产生过氧化 。 加触头内氧化深度,使之全部氧化透的目的就在于减 3 继电器动触头完全内氧化工艺参数 小触头材料本身的电阻率。我厂生产的安全型继电 的确定 器动触头内氧化的深度原要求控制在触头厚度的1/3 为了确定合适的工艺参数,我们做了六组试验, (触头厚度0.5mm,氧化层深度即控制在0.17mm左 在送氧压力为0.2MPa一0.4MPa下分别以620cI=/ 右)。因为AgCd(12)的电阻率是4.44×10 Q ·nl, 1.5h、620cC/3h、620℃ /4.5h、710℃ /1.5h、710 而AgCdO(12)的电阻率是2.3×10 n ·m,前者几 o(2/3h、710℃/4.5h的工艺参数进行内氧化试验, 乎是后者的两倍,若触头全氧化透了,也就是触头全 然后用放大镜观察氧化深度,结果如表 1。 收稿 日期:2009—02—10 机 电 元 件

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