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IGCT器件的研究与进展
。张明赵燕峰陈彦
(株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部 湖南株洲412001)
摘要概述了集成门极换流晶闸管(IG-CT)的技术背景，详述了我们的IGCT器件研
发所取得的实际进展及对未来的展望。
关键词IGCT电流型器件关键技术非对称IGCT逆导型IGCT
TheResearchand ofIGCTdevices
Progress
ZhaofenChengyan
Zhangming yan
(PowerElectronics CSRTimesElectric
Division，Zhouzhou CO．，Ltd．，Zhuzhou，Hunan412001，China)
AbstractItissummarizedthatthe of commutated
background gate thyristor
integrated
is abouttheactual ofourIGCTdevices
(IGCT)．Detailedintroduction
given progress
whicharemanufacturedathome．The ispresented．
prospect
wordsIGCTcurrentcontrolleddevice IGCT
Key keytechnologyasymmetric
reverse IGCT．
conducting
1 引言
’到原先使用GTO的变流装置之中。
国内，已有多家单位正在积极开展IGCT的应用研究，并已取得了较好的效果，由[GCT构成的开
关电路具有结构简单、工作可靠、成本低廉的优势，同时GCT元件具有损耗较低、可靠性高的优点。
驱动眩1及柔性供电系统‘引，中有很大的潜在市场，IGCT同时还是电力电子节能的关键器件。
株洲南车时代电气股份有限公司(简称：南车时代电气)自2003年以来，将在研发GTO器件中多
应用。
2技术背景
2．1 电流型开关器件分类
南车时代电气目前主要从事电流型电力半导体器件的研发，它包括主开关器件(IGCT或GTO)和
配套用的各种二极管。相关器件的分类以及相互关系如图l所示，图中还标出了当前主要的器件制造商。
墨墼I第四届电能质量(国际)研讨会论文集
电流型开关器件及配套二极管(关系)
图l电流型开关器件分类
of
Fig．1theClassificationthecurrentcontrolleddevices
2．2 IGCT组件的核心技术
IC：C了是由GCT部分(芯片制造及封装)和I部分(驱动电源制造)构成的全控型电力半导体开关
也是为C,CT服务的。
缓冲层的pin技术卜、l部件连体隔离技术
阳极透明发射技术 控制策略
硬开关技术
离子注入扩散技术
OCT；嚣片卜一门极单元
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