重掺锑直拉硅单晶原生氧沉淀形成的研究.pdfVIP

重掺锑直拉硅单晶原生氧沉淀形成的研究 ∗ 朱伟江，马向阳 ，杨德仁，阙端麟 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027 摘要：直拉硅单晶在生长过程中会形成原生氧沉淀，它们对硅单晶在后续热处理中的氧沉淀行为有重要影 响。重掺锑直拉硅单晶的原生氧沉淀的形成过程目前还不清楚。本文先通过 1200℃热处理 0.5 h 来消除重 掺锑直拉硅单晶中的原生氧沉淀，然后以 1℃/min 的速率缓慢降温至不同温度（800℃~300 ℃），在此缓慢 降温过程中将形成尺寸很小的氧沉淀，然而，它们不易被测量到。因此，通过后续的从 800℃缓慢升温 1050℃ 并保温 16h 的热处理使得上述降温过程中形成的氧沉淀长大，从而可以通过择优腐蚀和扫描红外显微术来 测量氧沉淀密度。通过上述手段，试图理解重掺锑直拉硅单晶生长中原生氧沉淀的形成过程。研究表明： 重掺锑直拉硅单晶中的大部分原生氧沉淀很有可能是在晶体生长结束后冷却至 800~650℃这一过程中形成 的。我们对上述结果做了定性的解释。 关键词：重掺锑，直拉硅，原生氧沉淀 1．引言 在直拉（Czochralski, CZ）硅单晶中,退火往往会形成氧沉淀这样的微缺陷。人们很早 就开始研究微缺陷的形成机制，因为它们对集成电路器件的产量既有不利的影响也有有益的 [ ] 影响。已发现在原生硅单晶中存在氧沉淀的核心 1 ，通过退火可以在这些核心处形成氧沉淀， 这些核心被称为原生氧沉淀。 在直拉过程中，硅单晶逐渐从熔点温度冷却到室温。这意味着硅单晶在拉晶机中凝固后 经历了原位退火。原位退火的条件取决于生长速率和热区的结构，众所周知它会影响原生氧 [1-3] [4] 沉淀的密度 。K.Wada等人 采用晶体冷却实验，以TEM观察为基础提出了硅晶体中原生氧 沉淀的形核机制。从硅晶体样品中原生氧沉淀形状，尺寸和密度的实验结果来看，他们推断 在晶体从 1250℃到 1000℃的冷却过程，形核是通过异质形核机制发生的。H.Furuya等人[5]在 晶体生长的不同温度中断提拉然后来研究原生氧沉淀，他们提出原生氧沉淀的核心在 1200℃以上就开始形成，这些核心是非活性的并且在 900~ 1100℃是不稳定的，在 800℃以下， 它们作为活性核心的前躯体。 重掺锑硅片作为外延生长中的一种重要衬底，在集成电路制造中得到广泛应用。对于重 掺锑硅片中原生氧沉淀的性质已有一定的认识：A. J. R. de Kock[6]等人利用高电压投射电 镜研究了原生重掺锑直拉硅片（未经任何热处理的硅片）中的缺陷，发现没有位错环，氧沉 淀颗粒很小并且密度很低，通过应力场对比发现氧沉淀颗粒为空位型缺陷。M. Porrini[7]对 不同生长条件下的重掺锑直拉硅单晶研究也发现其原生氧沉淀均为空位型缺陷。但是对于重 掺锑硅片中原生氧沉淀的形成温度及尺寸分布还没有报道过，我们对重掺锑直拉硅片进行高 温热处理后缓慢退火来模拟了重掺锑直拉硅片中原生氧沉淀的形成过程，这虽然和实际生产 过程中晶锭经历的降温速率有些差别，但对于研究重掺锑硅单晶中原生氧沉淀形成的主要温 度区间和尺寸分布来说，这样的实验已经可以说明问题。研究发现重掺锑直拉硅单晶中的大 部分原生氧沉淀很有可能是在晶体生长结束后冷却至 800~650℃这一过程中形成的，并且其 尺寸主要分布在r600~r700之间。这对于选择合适的退火温度及时间来控制氧沉淀具有指导作 用。 ∗ 通讯作者：马向阳，男，教授，E-mail: mxyoung@zju.edu.cn 2．实验 . 我们使用8寸，100 ，电阻率为0.02 Ωcm的单面抛光重掺锑直拉硅片来研究原生氧沉 淀行为。通过Cameca 4f 二次离子质谱仪（SIMS）测得重掺锑硅片中氧浓度([O])为1.2 × 18 - 3 10 cm 。在上述每一抛光片上切下若干大小为2cm ×3cm 的小片作为样品. 样品清洗后放