金辅助MOCVD生长InP%2fGaAs轴向异质结构纳米线的研究.pdfVIP

第十二届全国固体薄膜学术会议 南宁2010 叶显黄辉蔡世伟郭经纬任晓敏王琦张霞黄永清 信息光子学与光通信教育部重点实验室，北京邮电大学，北京100876 摘要：本文采_}}j会辅助金属有机物化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底．卜生长了lnP／GaAs轴向串 接异质结构纳米线。扫描电子显微镜分析表明，GaAs纳米线部分整齐排列垂直于衬底，生长在GaAs 纳米线上的lnP纳米线沿着GaAs纳米线侧肇向衬底方向生长，生长的InP／GaAs纳米线异质结构具有 复杂而多样的形貌的特点。此外，本文详细分析了导致InP／GaAs纳米线生长方向混乱的机理。 关键字：纳米线异质结构； 气液固生长机制； 金属有机化学气相沉淀法 1．引言 半导体纳米线结构在新一代电子器件和光电器件中有着巨大的应用前景【l‘3】．在这些应用中，半 导体纳米线材料的合成技术和控制生长方法对纳米线结构器件的发展有着举足轻苇的作用，利用自下 而上(bottom．up)外延生长的自支撑(freestanding)纳米线具有更高的晶体质鼍、生长方向更易于 质界面结构以及光学电学特性足当前研究热点之’一[8-111． 本文报道了利用金辅助MOCVD法生长的InP／GaAs纳米线异质结，对制备的纳米线异质结构进 行了表征，详细分析了lnP／GaAs纳米线生长方向混乱的机理。 2．实验 Swan 纳米线异质结构的制备采用低压会属有机化学气相沉淀法(ThomasCCS．MOCVD)完成．三 11)B衬底上磁控溅射一层约4nm厚的金薄膜．其 为12L／rain，反心室总压力为100Tort．先在GaAs(1 温度升高到650℃，原位退火300秒以形成Au．Ga合金颗粒作为催化剂，然后在AsH3气氛下冷却至 长的纳米线。生长的纳米线异质结形貌、成份和晶体结构分别由场发射扫描电子显微镜(FE．SEM： JSM 5500)来表征。 3．实验结果与分析 质结构具有复杂而多样的形貌的特点：第一，大部分纳米线项部看不到合会颗粒，大部分纳米线的合 金颗粒已经沿着纳米线侧壁附着到了衬底上，并且在衬底上“爬行”牛长了约200．500nm的长度(见图 l(a)黑色箭头处)；第二，合金颗粒即使延伸到了衬底以后，也没有垂商生长，而是沿着衬底表面 生长，这与Au辅助的在GaAs衬底上直接生长InAs纳米线的情况类似【l2J；第三，在一些纳米线的项 部或者侧面有一些细小的纳米线枝蔓状结构牛长出来(见图l(a)白色色箭头处)。图1(b)(c)是 从纳米线的断面观察的典犁的SEM图，从这两个图中可以看到部分纳米线的上部生长过程中发生扭 曲，但是合金颗粒仍然留在顶部(见图l(b)(c)白色网圈处)，另外有少数纳米线的合金颗粒在侧 壁(见图l(b)白色箭头处和图1(c)标识D处)。注意到垂直生长的纳米线的长度约是1胛，正好 l胛的纳米线段是GaAs纳米线。既然之前我们生长的GaAs纳米线的Au催化剂一直保留在顶端 257 ，十二屠±田一体●曩学柬e报 南宁2010 ”’“o，俐此InP，GaAs纳米线芹质结这种奇怪的电长现豫一定发生艇lap牛＆址程中。 如HI(b)所示．在生长InP纳米线的时候．台台液滴沿着GaAs纳米线的侧毕向r1长，当生比 沿荐对底衷而爬行生长，生长停止之后，就在衬底t形成半球状的台金小球(见脚I标识C址)。从 SEM剐中町卧看到，很多绑而直的纳米线从侧壁生长m来。如削I(c)．容易测抖标识A的纳米线‘， 垂直牛K的纳米线呈约60啪臾角，m垂HJ‘纸IIIl的1-10方向和垂直J。村底的III方向容易确定． 该纳米线的生长方向足112方向。涮样，町以测褂纳米线B与璃肖的纳米线的宠角足约72。．1e生 长方向是一IIl方向。片且在这些细小的纳米线的顶端可以看剑冉台台鞍事芷存在。竹是冀台会颗粒 的直径与主干部分的直径相差10倍以}。如罔I(a)，杠一砦纳米线的主干上还同时争Km多个升支。 这cⅡ能足凼为台叠液滴向对底方向牛长过程巾．残余的些台金渣滴存侧璀聚壤嘶币新成为个竹独 的生长中心．反应室中2t相的TMI赴该台盒液滴表