FET的特性与应用电路.docVIP

FET的特性與應用電路　 宇量　 電界效應半導體(FET: Field Effect Transistor，以下簡稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史，兩者最大差異是FET的消費電力比一般電晶體更低，目前FET大多應用在微處理器數位IC/LSI、無線系統的Front-end、Switching電源控制器，以及馬達驅動控制器等領域。接著本文要利用模擬分析深入探討FET的動作特性與應用電路。 FET的動作原理FET與電晶體一樣都是屬三端子半導體元件，雖然它的外形隨著用途有各種形狀，不過動作原理卻完全相同。如圖1所示FET依照內部結構可以分成2大類，分別是Gate Channel之間有二極體的FET，與Gate Channel之間呈絕緣狀的FET。 圖2是FET電路圖常用符號，由圖可知常用符號依照內部結構也分成2大類，分別是N型 Channel與P型 Channel；三個端子的名稱分別Gate、Source、Drain，雖然FET的動作原理與電晶體不同，不過功能上Gate相當於電晶體的Base，Source相當於電晶體的Emitter，Drain相當於電晶體的Collector(圖3)。　 圖1 FET的分類　 圖2 FET電路圖常用符號　 圖3 FET的3根端子功能說明　 圖4是外部電壓施加於Gate與Source之間時的Drain電流流動特性模擬分析電路圖，為了將電壓施加於至Drain與Source之間，因此本電路的信號源使用萬用電壓源VSRC，此外模擬分析用元件使用N Channel Type的MOSFET 2SK3377。 圖5是Gate與Source之間的電壓VGS( =V1)作-4V ~ +4V變化時，利用DC分析法觀察Drain電流ID的變化所獲得的結果，根據圖5分析結果顯示VGS比2.5V更高時，從外部朝FET方向流動的Drain電流會流動，由此可知FET可以利用VGS控制ID，這意味著電晶體是利用Base控制Collector電流，因此它屬於電流控制元件；FET則是利用Gate與Source之間的電壓控制Drain電流，因此屬於電壓控制元件。 圖5的橫軸為Gate與Source之間的電壓VGS，縱軸為Drain電流ID，圖中的座標曲線表示FET特性極為重要的順向傳達特性。　 圖4 N Channel MOSFET的Drain電流流動特性模擬分析電路　 圖5 圖4的VGS - ID特性　 圖6是P Channel MOSFET 2SJ599構成的模擬分析用電路( V2 = -5V)；圖7是模擬分析獲得的VGS - ID特性，根據圖7的分析結果顯示VGS若比-2.3V更低時，流出方向的Drain電流會流動，它與上述N Channel MOSFET一樣可以用VGS控制ID。 圖5若與圖7比較時(亦即N型 Channel MOSFET與P型Channel MOSFET)可以發現兩者最大差異，是Drain電流流動時的VGS極性與Drain電流的方向不同。　 圖6 P Channel FET的Drain電流流動特性　 圖7 圖6的VGS - ID特性　 圖7是利用上述圖4模擬分析電路的VGS( = V1)以0.01V的step從0~4V變化，Drain與Source之間的電壓VGS( = V2 )，則以0.2V的step從0.2 ~ 5V變化，接著再用DC分析法觀察VGS - ID特性獲得的結果，根據圖7的分析結果顯示VGS具有峰值電壓，如果VGS未大於2.5V以上時ID就無法流出，而且ID對VGS具有極大的依存性，此外根據座標曲線逐漸緩和現象可以發現VGS與ID、VDS三者，形成比電晶體特性更複雜的互動關係，不過它與電晶體特性一樣，如果將動作條件作某種程度的限定，理論上可以簡化VGS與ID的關係。　 圖8 圖4的VGS - ID特性( VGS = 0.2~5V )　 圖9就是將VGS局限在3 ~ 4V狹窄範圍內，VGS固定成5V時獲得的ID模擬分析座標圖，此時ID的曲線變化幾乎呈直線狀，這表示VGS與ID成正比例變化，而座標曲線的傾斜亦即比例定數，則稱為順向傳達Admittance (或稱為相互Conductancegm )。 此處以下式表示:　 　 根據式(1)可知的單位是電壓除以電流，因此它是Ω的逆數亦即S(Siemens)表示，此外對交流信號而言含有虛數成份，所以也可以用絕對值 || 表示。 以圖9為例VGS作1V變化時ID則變化17A，依此計算相當於17S。　 圖9 圖4的VGS - ID特性 ( VGS = 3 ~ 4V, ,DS = 5V )　 圖10是將VGS與ID的比例關係單純化之後FET的順向傳達特性，由圖可知VGS一旦超越臨