一种用电镜制作表面纳米结构的方法.pdfVIP

半导体学报 V01．27 第27卷增刊 Supplement OF 2006年12月 CHINESEJOURNALSEMICoNDUCToRS Dec．，2006 一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法* 朱念麟1 张 晋1’’ 陈尔纲1 柏 晗1 张 茜1 王光灿1 郭俊梅2 窦菊英1 (1云南大学物理系，昆明650091) (2贵研铂业股份有限公司，昆明650221) 摘要：提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孑L和纳米线阵列的方法，该方法是在数字式扫描电镜的阴极 自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器，其内阻远小于自偏压电阻；用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为 控制信号，经倍频和放大，加到电子枪栅极上控制电子束的通断，使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描，不需 用模板即可以“直写”方式在涂有电子束光刻胶(PMMA)的样品上实现点、线曝光，形成周期性量子点、纳米孔和纳 米线阵列． 关键词：数字式扫描电镜；负电压发生器；表面纳米阵列；电子束刻蚀 PACC：6146 中图分类号：TN405 文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2006)SO一0186—03 SPM)的最小线宽可小于30nm，并且可使写速度变 1 引言 得非常快哺~7]．可是，成本高仍然是存在的问题． 本文提出一种用扫描电子显微镜(简称扫描电 纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基 镜)制作表面纳米阵列的简便方法，该方法采用常规 础之一，其制作技术是整个纳米技术的核心基础．纳 数字式扫描电镜的行扫描时钟信号作为控制信号， 米光刻技术是纳米结构制作的常用方法，它包括波 经过倍频和放大加到扫描电镜的电子枪栅极上，控 前工程、电子束光刻、离子束光刻、x射线光刻、原 制电子束的通断，使电子束由连续扫描变为规则的 子光刻、干涉光刻、极紫外光刻等．它们都有望实现 点、线扫描，不需用模板，即可以“直写”方式直接在 纳米量级的图形制作，但各种技术可实现的分辨率 涂有电子束光刻胶的样品上实现点、线曝光，形成周 极限有所不同．50nm以上分辨率可用193nm光刻期性量子点、纳米孔和纳米线阵列． 结合波前工程n1和干涉光刻心1实现，约50nm的分 辨率可用极紫外光刻[3]．而电子束光刻、离子束光 2 电路控制原理 刻、x射线光刻、原子光刻可望实现几个纳米的分 辨率．但这些技术的完善还有待于光学系统、抗蚀 本文所述的方法是利用扫描电镜具有宽扫描和 剂、精密控制等相关技术的成熟．近年来，大规模集 高分辨率的特点，在扫描电镜的阴极自偏压电路中 成电路和纳米器件快速发展，光学光刻的分辨率已 串联一个可控的负电压发生器，其内阻远小于自偏 经满足不了需要．由于电子束的分辨率可达几个纳 压电阻，如图1所示．该负电压发生器由倍频电路、 米量级，在研制集成电路和纳米器件过程中，电子束 压控振荡器、升压变压器、整流电路和传统自偏压电 光刻是最有效的方法之一．电子束曝光技术发展的 阻组成．用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控 一个新方向是采用扫描隧道显微镜作为曝光手段， 制信号，经倍频电路后与压控振荡器的输入端相连， 以实现原子级分辨率H]．然而，这方面的研究还处于 再经过压控振荡器及升压整流电路放大后，与扫描 初级阶段，真正实现能够适用于纳米加工的电子束 电镜的栅极自