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2010年 第 1期 电压 lV。该JFET的性能是 “独一无二”的，由于它综合了高击穿电压和低开态电阻的优 点。这种SiCJFET可用于现代PV系统逆变器中，并由Fraunhofer太阳能系统研究所将其 代替第4代InfmeonSiIGBT用于逆变器中，将直流转换为交流电的效率提高了1．60／0(直 流输入电压350V时)，如输入直流电压提高到750V，则转换效率比峰值98．8％略低。但使 用SiC晶体管的逆变器的性能总能超过使用同类Si器件的逆变器。较高的转换效率还降低 了逆变器的工作温度。输出功率为5kW 时，可省掉80％的热沉。 该公司认为：用于功率半导体器件的晶片市场可达2O亿美元，而该种器件市场可达 140 亿美元，今后几年内SiC器件销售量将会增加，因为据预计，功率半导体市场的年复合增 长率将为 15％。 用于PV系统逆变器的SiC器件市场只是其整个市场的一小部分，但由于它可提高转换 效率、降低Pv系统成本，对扩大PV系统的应用将发挥重要作用。SiCJFET的推进不仅使 PV系统中的逆变器 “受益”，随后就会进入电源系统、电气驱动系统等市场。 (邓志杰 摘译) 薄膜太阳电池 无机薄膜 (TF)光伏 (PV)工艺正在快速发展，其中非晶Si(a_si)基Pv组件已有2O 多年的历史。近年来，工业上研制出第一个以玻璃为衬底的多晶siTF电池和微晶Si／a-Si 迭层电池 (称为micromorph电池)。CdTe和CuInSe2太阳电池也发展到生产水平。 前言 Pv工业仍处于繁荣期，过去 l0年中，每年的增长率都超过30％。目前Pv组件约每年生 产3GW。但 Pv生产能力要达几百GW／年才会对全球电力需求有相当贡献。目前PV组件推广 应用的主要问题仍然是降低成本。当前的主流PV工艺是结晶Si(c-Si)晶片太阳电池工艺， 但由于si片成本高，该工艺成本下降空间受到限制。相反，TFPV电池有明显优势：(1)消 耗的 (电池)材料少；(2)可以在大面积价廉 “异种”衬底上沉积电池；(3)可对单个电池 进行单片 (串连)集成组件。这样就有可能使组件成本降到 l欧元／Wp一下。 主要的TF太阳电池工艺 I、a-Si太阳电池 20世纪 70年代和 8O年代就已确定了a—si电池加工的PECVD (等离子增强化学沉积)技术，可在约200℃下于玻璃衬底上沉积氢化a_si(a-Si：H)。a_si：H 电池的主要优点是：很薄的吸收层 (_30Ohm)而具有很高的吸收系数；可在刚性或柔性衬 底上、低温 (一200℃)下沉积大面积Si二极管；单个 电池易于进行串连 (内连)组成单片 电池组件。该种电池其所以没有在PV市场上 占有较大份额，主要是因单结电池组件的平均 稳定效率只有6％甚至更低。由于光感生退化效应 (SW效应)使该种组件的稳定效率总是低 于其初始效率。全世界的相关人员为减弱这一效应的影响，20多年来进行了广泛、深入的 研究，但一直未能取得预想的成果。单结电池最高稳定效率为 9．5％。大面积加工存在空间 不均匀性问题，这方面经改进后可望制出稳定效率7％的大面积单结a-Si：H电池组件。例如， Kaneka公司所制 p-i—I1结构 (玻璃衬底)电池已相当接近这一 目标。该公司采用了很好的 陷光技术从而可制出更薄 (更稳定)的a-Si：H电池。用织构的透明导电氧化物 (TCO)，背 表面反射器则沉积了双层ZnO：A1层和Ag层。 2 2010年 第 1期 现代a-Si：H电池的典型结构是：钠钙玻璃／前TCO(Sno2或ZnO：AI)／P+(a-Si：H或 c—Si：H) ／i(a-Si：H)／n+(a-Si：H或 c—Si：H)／背面TCO(ZnO：AI)／背接触 (Ag)；(c，微晶)。前 TCO薄层电阻须低至 lOg2／m2并对可见光有高的透过率。为保证相邻电池有 良好的互