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趋势与展望
Outlook and Future
doi :103969/ j issn1003353x201005001
高击穿电压 Al GaN/ GaN HEMT 电力开关器件研究进展
1 1 2 2 1
张明兰 , 杨瑞霞 , 王晓亮 , 胡国新 , 高志
( 1 河北工业大学 信息工程学院 , 天津 300401 ; 2 中国科学院 半导体研究所 , 北京 100083)
摘要 : 作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表 , GaN 材料在各个应用领域的研究工作都受
到了高度的重视 。概述了基于 Al GaN/ GaN HEMT 结构的新型高压 、高频 、低损耗电力开关器件的
最新研究进展 。从器件的结构特征入手 , 详细介绍了改善器件击穿特性的途径 、高频开关特性的
研究情况 、Si 衬底上 Al GaN/ GaN HEMT 结构材料的生长 、增强型器件的制备技术和功率集成电路
的研究等几个国际上的热点问题 。最后 , 对该项研究面临的问题及未来的发展趋势做了展望。
关键词 : Al GaN/ GaN 高电子迁移率晶体管 ; 电力电子器件 ; 化合物半导体材料 ; 异质结构
中图分类号 : TN386 文献标识码 : A 文章编号 : 1003353X (2010) 0504 1706
Development of High Breakdown Voltage Al Ga N/ Ga N HEMT
for Power Switching Device
Zhang Minglan1 , Yang Ruixia1 , Wang Xiaoliang2 , Hu Guoxin2 , Gao Zhi1
( 1 College of Inf ormation Engineering , Hebei University of Technology , Tianj in 300401, China ;
2Institute of Semiconductors , Chinese Academy of Sciences , B eij ing 100083 , China)
Abstract : Acting as the representative of the third generation semiconductor materials , GaN becomes
the focus of research all over the world . The development of Al GaN/ GaN HEMT with high breakdown voltage ,
high frequency , and low loss is reviewed . Beginning with the introduction of the device structure , some
critical problems hindering this research are discussed , including improvement of the breakdown
characteristic , advantage in high frequency performance ,
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