MEMS氮化钛谐振式压力传感器研究.pdfVIP

36 传感器与微系统(TransducerandMicrosystemTechnologies) 2010年 第29卷 第 1期 MEMS氮化钛谐振式压力传感器研究 杨 川，郭 灿 (西安交通大学 机械工程学院精密工程研究所，陕西 西安 710049) 摘 要 ：提出了一种基于TiN双谐振梁结构的MEMS谐振式压力传感器，利用TiN谐振梁的谐振频率与 被测压力的关系进行压力测量。针对传感器的敏感结构建立了数学模型，通过理论分析和ANSYS有限元 软件的模拟 ，得出了谐振梁长度的变化范围和谐振梁的结构参数 ，并确定了TiN谐振梁在矩形压力膜上方 的最佳位置。这对传感器的结构设计具有重要的指导意义。 关键词：微机电系统；氮化钛；敏感结构；位置优化；谐振式压力传感器 中图分类号：TP212．12 文献标识码 ：A 文章编号：1000-9787(2OLO)01-0036-03 Research onM EM STiN resonantpressuresensors YANG Chuan，GUO Can (ResearchinstituteofPrecisionEngineering，Xi’anJiaotongUniversity，Xi’an710049，China) Abstract：A structure ofTiN double resonantbeamspressure sensor isproposed，the pressure ismeasured throughtherelationbetweentheresonant~equencyofTiN resonantbeamsandthemeasuredpressure．Themaths modelofsensitivestructuresoftheresonantsensorisestablished，throughtheanalysisandnumerationfrom the theory，andsimulationbytheANSYSsoftware，thevariedextensionofthelengthandtheoptimizationofthebeams areeducedandtheoptimalpositionoftheTiNresonantontherectanglepressuremembraneisconfirmed．Andthis isvery importanttothedesignofthesensors’structure． Keywords：MEMS；TiN ；sensitivestructure；positionoptimized；resonantpressuresensors 0 引 言 就比较大，从而有利于提高谐振式压力传感器的精度。本 基于MEMS技术基础的微结构谐振梁式压力传感器， 文通过理论分析和仿真分析对基于TiN材料的谐振梁结构 除具有经典谐振式传感器的优 良性能外，还具有体积小 、重 参数进行了优化，并分析了谐振梁在压力膜片上方的最佳 量轻、功耗低 、响应快、与大规模集成 电路工艺兼容 、易批量 布置位置 。 生产等优点。谐振式压力传感器利用被测压力改变谐振梁 1 传感器敏感结构应力分析 的谐振频率，通过测量谐振梁谐振频率的变化来 问接地测 传感器的敏感结构包括矩形压力膜和TiN谐振梁，矩 量压力，因此 ，传感器的输出信号是频率信号，无须经过 A／ 形压力膜直接感受外界的被测压力，在膜片的上方制作有 D转换就可方便地与计算机接 口，组成高精度的测量控制 由硅岛固支的TiN谐振梁 ，间接感受压力的作用。TiN谐 系统，而且 ，不会因为传输而降低其精度 ，适合于长距离的