以Guglielmi模型研究脉冲电流下Ni-SiC复合电沉积.pdfVIP

以Guglielmi模型研究脉冲电流下Ni-SiC复合电沉积.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
以Guglielmi模型研究脉冲电流下Ni-SiC复合电沉积.pdf

第 1期 VloI.29 No.1 【电镀】 以Guglielmi模型研究脉冲电流下Ni-SiC复合电沉积 胡飞木,吴坚强,黄敏 ,江毅 (景德镇陶瓷学院,江西 景德镇 333001) 摘 要:在Guglielmi模型的基础上,推导了采用方形、上三角 溶性固体微粒为分散相。电沉积复合材料是在镀液 中 形、下三角形和锲形四类脉冲波形复合电沉积时,电流与镀层 掺入不溶性微粒 (如 SiO2、A12O3、SiC、WC等硬质微 中惰性微粒体积分数的数学关系,并以Ni—SiC复合电沉积为例, 粒 J),微粒在金属相的弥散分布能有效提高镀层材料 进行 了试验验证。结果表明,在相同峰值 电流密度下,方波脉 冲电流下SiC的沉积量是其他三类脉冲 电流波形的 1.5l倍;而 的耐磨性能、耐蚀性能及耐高温氧化性能等 。因此, 当平均电流密度相同时,方波脉冲电流下 SiC的沉积量是其他 复合镀技术在表面工程领域发挥着重要作用 。其中, 三类电流波形的 1.06倍。分析了电流密度对镍基体上 SiC沉积 Ni—SiC复合材料因其在微机械系统和航空航天工业上 量的影响。 表现出的优异性能,而成为近年来的研究热点。SiC微 关键词:镍;碳化硅;复合电沉积;脉冲电流;建模 中图分类号:TQ153.12 文献标志码:A 粒的直径可以大于 1cm,也可以小于 1pm。研究表 明, 文章编号:1004—227X(2010)01—0001—05 纳 米级 SiC微粒与基体有较好 的结合力4【]。尽管电镀 Study onpulsecurrentelectrOcOdepOsitiOnOfNi_SiC 的工艺参数与镀层 的性能之问有着密切相关 ,如加入 compositebasedon Guglielmi’Smodel//HU Fei.、U Na3Co(NO2)6等添加剂可以显著提高镀层中SiC微粒的 Jian.qiang.HUANG M in.JIANG Yi 体积含量 J,但是较少文献报道脉冲电流对镀层中SiC Abstract: The mathematicalrelationship between the volumefractionofinertparticlesindepositandthecurrent 微粒含量的影响。电沉积复合镀层的理论很多U-t0】。 applied with rectangular, ramp—up, ramp—down and Guglielmi提 出了经典的两步法微粒吸附沉积理论,其 triangularwaveformsinpulsedcompositeelectrodeposition 模型给出了微粒沉积量与 电流密度及镀液中微粒体积 wasderived from Guglielmi’Smodel,and then validated 含量的关系。Guglielmi模型已被用于Ni—SiC复合电沉 takingNi—SiC compositeelec仃odepositionasanexample. TheresultsshowedthattheamountofSiC depositedwith 积研究,Wang等进一步证明了该模型也适用于纳米 rectangularpulseiS 1.51timesthatdeposited with other SiC微粒 】。本文在 Guglielmi模型的基础上,推导 threewaveformsatthe

文档评论(0)

kfigrmnm + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档