有机发光二极管中ADN掺杂ErQ的1.54μm电致发光.pdfVIP

第 33卷第 1期 红 外 与 毫 米 波 学报 Vo1．33，No．1 2014年2月 J．InfraredMillim．Waves February，2014 文章编号：1001—9014(2014)01—0031—05 DOI：10．3724／SP．J．1010．2014．00031 1．54ttm electroluminescencefrom ErQ doped QUHai—Jing，TAOLi，WANGWei， RANGuang—Zhao (StateKeyLaboratoryforMesoscopicPhysicsandSchoolofPhysics，PekingUniversity，Beijing 100871，China) Abstract：Anear—infrared(NIR)organiclight—emittingdevices(OLEDs)wasdemonstratedwithemissivelayers(EMLs) basedonerbium (111)tris(8-hydr0xyquin0line)(ErQ)andthebluehostmaterialof9，10一di—beta—naphthylanthraeene (ADN)．Thefundamentalsturctureofthedevicesis(p-Si／NPB／EML／Bphen／Bphen：Cs2CO3／Sm ／Au)，wherethree setsofEMLs(ErQ／ADNbilayer，(E ／ADN)×3nmhilayer，andErQ：ADNdopedlayer)havebeencompared．Inallthe threestructures，1．54 p,m electroluminescencewasobservedduetothe4Il3／2—4I15／2transitionsofEr“．Comparedwiththe ADN／ErQbilayersturcture，theNIRelectroluminescence(EL)intensityisstrongerbythreetimesintheADN：ErQ(1：1) dopedsturcture．TheADN：ErQcompositefilmswithdifferentdopinglevelswerefurthercharacterizedbythemeasurements ofabsorption，photoluminescenceandphotoluminescencedecaytime．Theresultsindicateeffectiveenergyti’ansferrfom ADN hosttoemissivemolecularErQintheNIRELprocess． Keywords：near—inrfared；organiclight—emittingdevice；erbium (111)tris(8-hydroxyquinoline) PACS：78．55．Kz．81．05．Fh．61．66．Hq 有机发光二极管中ADN掺杂ErQ的1．54pm 电致发光 屈海京，陶 利，王 维，冉广照 (北京大学物理学院 人工微结构与介观物理国家重点实验室，北京 100871) 摘要：自行设计了基于8．羟基喹啉铒 (ErQ)为发射层 (EMLs)和二硝酰胺铵(ADN)为蓝光主体材料的：近红外有机发光 二级管．器件的基本结构为 (p-Si／NPB／EML／Bphen／Bphen：CsCO ／Sm／Au)，设计并比较 了三套不 同发射层结构 ( Q／ADN为双层结构器件，(ErQ／ADN)x3为多层结构器件，ErQ：ADN为掺杂结构器件)的器件．三组器件在一定 的偏压下，均可发出1．54 m